红外技术, 2018, 40 (10): 936, 网络出版: 2018-12-17   

以色列 SCD公司的 III-V族红外探测器研究进展

III-V Semiconductor Infrared Detector Research in SCD of Israel
作者单位
昆明物理研究所,云南昆明 650223
摘要
III-V族半导体在第三代红外探测器中扮演了重要的角色,近年来越来越受到人们的瞩目,特别是 InAs/GaSb二类超晶格已经成为除碲镉汞外最受关注的红外探测器材料。本文简要回顾了以色列 SCD公司在 III-V族红外探测器的研究历程。重点总结了 SCD关于 InAsSb nBn中波高温探测器和 InAs/GaSb二类超晶格 pBp长波探测器中的研发。
Abstract
Recently, III-V semiconductors played an important role in Generation III infrared detectors and drew much research attention. Specifically, InAs/GaSb superlattices have become the most popular infrared detector material besides HgCdTe. This report briefly reviews III-V semiconductor infrared detector research in SCD, Israel. Specifically, we summarize the development of the InAsSb nBn MWIR HOT and InAs/GaSb type II superlattice pBp LWIR detectors.

李俊斌, 李东升, 杨玉林, 常超, 覃钢, 杨晋, 周旭昌, 杨春章, 李艳辉. 以色列 SCD公司的 III-V族红外探测器研究进展[J]. 红外技术, 2018, 40(10): 936. LI Junbin, LI Dongsheng, YANG Yulin, CHANG Chao, QIN Gang, YANG Jin, ZHOU Xuchang, YANG Chunzhang, LI Yanhui. III-V Semiconductor Infrared Detector Research in SCD of Israel[J]. Infrared Technology, 2018, 40(10): 936.

本文已被 5 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!