人工晶体学报, 2020, 49 (8): 1491, 网络出版: 2020-11-11   

大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备

Growth of Large ZnGeP2 Single Crystals and Fabrication of Large ZnGeP2 Crystal Devices
袁泽锐 1,2窦云巍 1,2陈莹 1,2方攀 1,2尹文龙 1,2,3,*康彬 1,2,3
作者单位
1 中国工程物理研究院化工材料研究所, 绵阳 621999
2 四川省新材料研究中心, 成都 610200
3 中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室, 绵阳 621999
摘要
磷锗锌(ZnGeP2, ZGP)晶体是一种性能十分优异的中红外非线性光学材料。本研究采用自制的双温区管式炉成功合成出高纯ZGP多晶, 单次合成量达到600 g; 采用超微梯度水平冷凝法(0.5~1 ℃/cm)成功生长出55 mm×30 mm×160 mm的大尺寸ZGP单晶; 通过工艺优化、定向、切割、退火、抛光和高能束流辐照等处理工艺, 成功实现大口径(12 mm×12 mm×50 mm)ZGP晶体器件制备, 器件在2.09 μm的吸收系数仅为0.03 cm-1, 可以用于大能量和高平均功率红外激光输出。
Abstract
Zinc germanium phosphide (ZnGeP2, ZGP) crystal is an excellent mid-infrared nonlinear optical material. In this study, high-pure polycrystalline ZGP was synthesized successfully by using a self-made two-zone tube furnace with the amount of 600 g in one run. A large ZGP single crystal with size of 55 mm×30 mm×160 mm was grown by the horizontal gradient freeze method with ultralow gradient (0.5-1 ℃/cm). The large ZGP crystal devices (12 mm×12 mm×50 mm) with low absorption coefficient of 0.03 cm-1 at 2.09 μm were successfully fabricated after orienting, cutting, post-growth thermal annealing, polishing, and high energy beam irradiation. The crystal devices are used for high energy and high average power infrared laser output.

袁泽锐, 窦云巍, 陈莹, 方攀, 尹文龙, 康彬. 大尺寸ZnGeP2单晶生长与大尺寸晶体器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1491. YUAN Zerui, DOU Yunwei, CHEN Ying, FANG Pan, YIN Wenlong, KANG Bin. Growth of Large ZnGeP2 Single Crystals and Fabrication of Large ZnGeP2 Crystal Devices[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(8): 1491.

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