红外与毫米波学报, 2020, 39 (5): 583, 网络出版: 2020-12-29  

室温半导体红外光电探测器研究进展

Research progress of room temperature semiconductor infrared photodetectors
作者单位
1 上海理工大学 材料科学与工程学院,上海 200093
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
3 上海师范大学 数理学院,上海 200234
4 上海科技大学 物质科学与技术学院,上海 201210
摘要
室温工作将为光子型红外探测开辟更广泛的应用,系统整理和分析了从近红外到长波红外的III–V族及Ⅱ-Ⅵ族半导体探测器的室温性能,讨论不同材料体系和器件结构的室温暗电流机制。其中InAs/GaSb等二类超晶格的短周期带间级联结构以及HgCdTe抑制俄歇过程的方案在提升中长波红外室温探测性能方面都显示出了独特的优势。这些电子学结构的设计与近年来亚波长光子结构增强耦合、降低暗电流的新进展相结合,有望实现近室温工作的高灵敏红外探测。
Abstract
Room temperature operation of infrared photon detectors will open up a wider range of applications. This article summarizes the room temperature performance and dark current mechanism of semiconductor devices from near infrared to long wavelength infrared. Different methods to suppress dark current including the design of the interband cascade structure of InAs/GaSb type Ⅱ superlattices and the nonequilibrium operation mode of HgCdTe to suppress the Auger process show unique advantages. These electronic structural designs, combined with the latest progress in subwavelength photonic structures to enhance light coupling and reduce dark current, hold the promise to achieve a high performance infrared imaging chip operating in room temperature in the near future.

谢天, 叶新辉, 夏辉, 李菊柱, 张帅君, 姜新洋, 邓伟杰, 王文静, 李玉莹, 刘伟伟, 李翔, 李天信. 室温半导体红外光电探测器研究进展[J]. 红外与毫米波学报, 2020, 39(5): 583. Tian XIE, Xin-Hui YE, Hui XIA, Ju-Zhu LI, Shuai-Jun ZHANG, Xin-Yang JIANG, Wei-Jie DENG, Wen-Jing WANG, Yu-Ying LI, Wei-Wei LIU, Xiang LI, Tian-Xin LI. Research progress of room temperature semiconductor infrared photodetectors[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2020, 39(5): 583.

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