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浸没光刻机对焦控制技术研究

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摘要

随着大规模集成电路芯片制造步入1x nm技术节点时代,光刻机的对焦控制变得越来越困难,其精度需要达到几十纳米。本文基于实际的光刻机对焦控制系统架构和光刻对焦原理,开展了浸没光刻对焦控制统计分析方法研究。根据系统结构分析出一系列误差源,研究了这些误差对总离焦误差的贡献方式和关系。研究表明:(1)由于光刻对焦误差中存在非正态分布的误差贡献项,常规正态统计分布使用的3σ原则无法满足99.7%的对焦成功率要求;(2)在28nm、14nm、7nm技术节点集成电路芯片制造过程中,分别采用3σ和4σ原则,浸没光刻工艺总对焦成功率的差别分别高达28.4%、55.1%、62.9%。(3)为了达到99.7%的对焦成功率,浸没光刻机对焦控制应采用4σ原则。

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补充资料

DOI:10.3788/aos201838.0912002

作者单位:

    中国科学院微电子研究所
    中国科学院微电子研究所
    中国科学院微电子研究所
    中国科学院微电子研究所

引用该论文

段晨,宗明成,范伟,孟璐璐. 浸没光刻机对焦控制技术研究[J].光学学报,2018,38(9):0912002.