首页 > 论文 > 光学学报 > 39卷 > 05期(pp:0531001)

W/SiO2基太阳光谱选择性吸收薄膜研究

  • 摘要
  • 论文信息
  • 参考文献
  • 被引情况
分享:

摘要

本文使用磁控溅射镀膜仪制备了基于过渡金属钨和介质二氧化硅的六层薄膜样品,具体膜系结构为:Cu (>100.0 nm)/SiO2(63.5 nm)/W(11.0 nm)/SiO2(60.0 nm)/W(5.4 nm)/SiO2(75.5 nm)。该样品在250-2500 nm的波长范围内,太阳光吸收率为95.3%,且在400 ℃低真空条件下退火72 小时之后,样品的反射光谱特性变化较小,证明样品具有极好的热稳定性。另外,工作中使用红外热像仪对样品的红外辐射特性进行了在位实时表征,证明样品具有低辐射特性。这些优良特性有利于本样品在太阳能光热转换中的应用。

Newport宣传-MKS新实验室计划
补充资料

DOI:10.3788/aos201939.0531001

作者单位:

    南京邮电大学
    南京邮电大学
    南京邮电大学
    南京邮电大学

引用该论文

郭帅,吴莹,古同,胡二涛. W/SiO2基太阳光谱选择性吸收薄膜研究[J].光学学报,2019,39(05):0531001.