1550nmVCSEL全光触发运行技术的数值模拟研究 | 网络首发 -- 中国光学期刊网

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激光与光电子学进展

ESCI,SCOPUS,CJCR,CSCD,北图

2017年第54卷第5期6页

1550nmVCSEL全光触发运行技术的数值模拟研究

王小发 ¹夏青 ¹顾斌 ¹

录用时间：2016-12-29

论文栏目

作者单位

¹ 西南大学

论文摘要

基于扩展的自旋反转模型，对1550nm垂直腔面发射激光器全光触发运行的稳定性图谱进行了理论研究。研究结果表明：通过选取合适的参数，理论上获得的偏振开关点电流为1.95倍阈值，与已报道的实验结果相符，且双稳区较宽，为1.05到1.95倍阈值之间。提出一种新方法，利用注入光脉冲后两线偏振模稳定输出时的功率差作为判断触发程度的标准，得到不同注入参数下全光触发运行的稳定性图谱。基于稳定图谱触发区选取合适的参数，交替注入高斯型的设置和重置脉冲，实现了两线偏振模式间的交替转换，从而在理论上验证了全光触发运行的可行性。该研究结果对全光缓存技术实验研究具有一定的指导意义。

1550nm垂直腔面发射激光器全光触发运行自旋反转模型稳定性图谱

引用本文

王小发, 夏青, 顾斌. 1550nmVCSEL全光触发运行技术的数值模拟研究[J]. 激光与光电子学进展, 2017, 54(5): 6.

DOI：10.3788/lop54.051406

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