激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H-SiC的研究材料
由于碳化硅(SiC)具有宽禁带、高击穿电场、高热导率等优异特性,制备p型重掺杂SiC半导体材料是目前开发SiC基器件的研究热点和难点。本文介绍了一种激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H-SiC的方法,该方法具有工艺简单、可控性强、掺杂浓度高等优点。分析并总结了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响规律,通过霍尔效应测试及SEM-EDS测试,验证了不同工艺参数对所制备的p型掺杂层表面电学性能的调控作用。测得样品最大载流子浓度为6.613×10^17/cm^3,最小体电阻率为17.36 Ω · cm,得到掺杂浓度可达6.613×10^19/cm^3。分析获得材料的掺杂改性机理为在紫外激光作用下,Si-C键断裂,Al原子替代Si原子形成p型掺杂层。
胡莉婷, 季凌飞, 吴燕, 林真源. 激光辐照固态Al膜制备p型重掺杂4H-SiC的研究[J]. 中国激光, 2018, 45(6): 1.
DOI:10.3788/cjl201845.06材料01