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中国激光
ESCI,EI,SCOPUS,CJCR,CSCD,北图
2018年第45卷第6期2页
表面硫钝化对GaAs材料光响应特性的影响研究
录用时间:2017-11-01
论文栏目
材料
作者单位
长春理工大学
论文摘要
砷化镓(GaAs)材料作为Ⅲ-Ⅴ族半导体材料中的典型代表,在光电子器件中有着广泛应用。但是材料表面由于表面态引入的复合中心问题,制约了GaAs材料光电子器件的性能。本文中采用湿法硫钝化的方式,实现了对材料表面态问题的改善。在GaAs薄膜钝化的光致发光研究中,钝化处理后发光强度提高约14倍。进一步对光电性能的研究中,钝化处理后样品光电流和响应度提高了4倍左右。文章从能带原理分析了钝化处理对样品性能的提升,其主要原因在于钝化处理过程中对表面态密度和肖特基势垒高度的调节。本实验工作对推动GaAs基材料在光电器件领域的应用具有较为重要意义。
引用本文
夏宁, 方铉, 容天宇, 王登魁, 房丹, 唐吉龙, 王新伟, 王晓华, 李永峰, 姚斌, 魏志鹏. 表面硫钝化对GaAs材料光响应特性的影响研究[J]. 中国激光, 2018, 45(6): 2. 
DOI:10.3788/cjl201845.06材料02
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