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基于InGaAs探测器的日光条件光子计数试验

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摘要

本文介绍了基于InGaAs单光子探测器的日光条件测距实验,通过压缩激光接收视场、使用超窄带滤光片、结合超快主动淬灭电路降低InGaAs单光子探测器死时间等方法,成功进行了基于InGaAs单光子探测器的日光条件光子计数测距实验。对获取的实验数据进行分析,分析了探测灵敏度以及测距精度等系统性能参数,并与使用Si基单光子探测器时的系统性能进行了比较。实验结果表明,经过高速主动淬灭电路优化后的InGaAs探测器,探测器死时间与Si基探测器相当,在背景光噪声一定的情况下,使用InGaAs探测器,提高了系统的探测灵敏度,可以增加系统的最大测程,得益于InGaAs探测器的低抖动时间,系统的测距精度未受到影响。

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补充资料

DOI:10.3788/cjl201845.1104003

作者单位:

    中国科学院上海技术物理研究所
    山东大学光学高等研究中心
    中国科学院上海技术物理研究所
    上海技术物理研究所
    上海技术物理研究所

引用该论文

丁宇星,李永富,刘鸿彬,黄庚华,王建宇. 基于InGaAs探测器的日光条件光子计数试验[J].中国激光,2018,45(11):1104003.