光学学报, 2014, 34 (s1): s104001, 网络出版: 2014-08-18
金属-半导体-金属结构AlGaN/GaN异质结紫外探测器技术及特性
Technology and Performance of Metal-Semiconductor-Metal AlGaN/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetector
基本信息
| DOI: | 10.3788/aos201434.s104001 |
| 中图分类号: | TN23;TN364+.2 |
| 栏目: | 探测器 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(10990102)、“十二五”计量技术基础科研项目(J312013A001) |
| 收稿日期: | 2013-12-16 |
| 修改稿日期: | 2014-02-18 |
| 网络出版日期: | 2014-08-18 |
| 通讯作者: | 杨乐臣 (yanglechen@163.com) |
| 备注: | -- |
杨乐臣, 付凯, 史学舜, 陈坤峰, 李立功, 张宝顺. 金属-半导体-金属结构AlGaN/GaN异质结紫外探测器技术及特性[J]. 光学学报, 2014, 34(s1): s104001. Yang Lechen, Fu Kai, Shi Xueshun, Chen Kunfeng, Li Ligong, Zhang Baoshun. Technology and Performance of Metal-Semiconductor-Metal AlGaN/GaN Heterostructure Ultraviolet Photodetector[J]. Acta Optica Sinica, 2014, 34(s1): s104001.
PDF全文
