红外, 2016, 37 (10): 1, 网络出版: 2017-01-03   

金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究

Study of Vapor Phase Epitaxy Growth of Au-doped Hg1-xCdxTe and its Secondary Ion Mass Spectrum
作者单位
中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
引用该论文

王仍, 焦翠灵, 张莉萍, 陆液, 张可锋, 杜云辰, 李向阳. 金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究[J]. 红外, 2016, 37(10): 1.

WANGReng, JIAO Cui-ling, ZHANG Li-ping, LU Ye, ZHANG Ke-feng, DU Yun-chen, LI Xiang-yang. Study of Vapor Phase Epitaxy Growth of Au-doped Hg1-xCdxTe and its Secondary Ion Mass Spectrum[J]. INFRARED, 2016, 37(10): 1.

参考文献

[1] Yang J R. Physics and Technology of HgCdTe Materials [M]. Beijing: National Defense Industry Press, 2012.

[2] Chu M R,Terterian S, Wang P C. Au-Doped HgCdTe for Infrared Detectors and Focal Plane Arrays [C]. SPIE, 2001, 4454: 116-122.

[3] Mynbaev K D, Ivanov-Omskii V I. Doping of Epitaxial Layers and Heterostructures Based on HgCdTe [J]. Semiconductors, 2006, 40(1): 1-21.

[4] Shih H D, Kinch M A,Aqariden F, et al. Development of High-operating-temperature Infrared Detectors with Gold-doped Hg0.70Cd0.30Te [J]. Applied Physics Letters, 2004, 84(8): 1263-1265.

[5] Wang R, Jiao C L, Xu G Q, et al. Growth and Raman Spectrum of Au-doped Hg1-xCdxTe Epitaxial Crystals [J]. Infrared and Laser Engineering, 2014, 43(9): 3047-3050.

[6] 李湘. HgCdTe分子束外延薄膜材料的二次离子质谱的研究 [D]. 上海: 中国科学院上海技术物理研究所, 1996.

[7] Chu J H, Sher A. Physics and Properties of Narrow Gap Semiconductors [M]. Berlin: Springer, 2007.

[8] Dieter K S. Semiconductor Material and Device Characterization [M]. London: Wiley, 1998.

王仍, 焦翠灵, 张莉萍, 陆液, 张可锋, 杜云辰, 李向阳. 金掺杂HgCdTe气相外延生长及二次离子质谱研究[J]. 红外, 2016, 37(10): 1. WANGReng, JIAO Cui-ling, ZHANG Li-ping, LU Ye, ZHANG Ke-feng, DU Yun-chen, LI Xiang-yang. Study of Vapor Phase Epitaxy Growth of Au-doped Hg1-xCdxTe and its Secondary Ion Mass Spectrum[J]. INFRARED, 2016, 37(10): 1.

本文已被 1 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!