人工晶体学报, 2020, 49 (9): 1660, 网络出版: 2020-11-11  

P掺ZnO及缺陷对其光电性质影响的研究

Effect of P Doped ZnO and Defects on Photoelectric Properties
作者单位
江苏大学机械工程学院,微纳光电子器件及系统先进制造与可靠性国际实验室,镇江 212000
补充材料

刘进, 杨平. P掺ZnO及缺陷对其光电性质影响的研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(9): 1660. LIU Jin, YANG Ping. Effect of P Doped ZnO and Defects on Photoelectric Properties[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(9): 1660.

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