半导体光电, 2014, 35 (3): 543, 网络出版: 2014-06-24
InGaAs近红外相机成像技术研究
Study on Imaging Technology of InGaAs Near-infrared Camera
引用该论文
杨寸明, 卢杰, 温中流, 柴智, 邹文辉. InGaAs近红外相机成像技术研究[J]. 半导体光电, 2014, 35(3): 543.
YANG Cunming, LU Jie, WEN Zhongliu, CHAI Zhi, ZOU Wenhui. Study on Imaging Technology of InGaAs Near-infrared Camera[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2014, 35(3): 543.
参考文献
[1] 韩红霞.高分辨率InGaAs短波近红外成像系统[J].电光与控制,2013,20(2): 66-69.
[2] 吕衍秋.InGaAs红外焦平面[J].红外,2006,27(7): 20-24.
[3] 龚海梅. InGaAs近红外线列焦面阵的研制进展[J].红外与激光工程, 2009,38(1): 14-18.
[4] 王贤均.基于TM320C6416的高速红外实时成像系统[J].红外与激光工程,2007,36(3): 345-348.
杨寸明, 卢杰, 温中流, 柴智, 邹文辉. InGaAs近红外相机成像技术研究[J]. 半导体光电, 2014, 35(3): 543. YANG Cunming, LU Jie, WEN Zhongliu, CHAI Zhi, ZOU Wenhui. Study on Imaging Technology of InGaAs Near-infrared Camera[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2014, 35(3): 543.
PDF全文
