半导体光电, 2018, 39 (5): 648, 网络出版: 2019-01-10  

电场驱动HgCdTe/CdTe量子阱拓扑相变引起的光吸收增强研究

The Enhancement of Optical Absorption in HgCdTe/CdTe Quantum Well Induced by ElectricFieldDriven Topological Phase Transition
作者单位
厦门大学 物理系, 福建 厦门 361005
基本信息
DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2018.05.009
中图分类号: O472.3
栏目: 材料、结构及工艺
项目基金: 福建省自然科学基金项目(2016J05163)、 中央高校基本科研业务费专项资金项目(20720160019)
收稿日期: 2018-03-14
修改稿日期: --
网络出版日期: 2019-01-10
通讯作者:
备注: --

黄蓉, 李俊, 李成. 电场驱动HgCdTe/CdTe量子阱拓扑相变引起的光吸收增强研究[J]. 半导体光电, 2018, 39(5): 648. HUANG Rong, LI Jun, LI Cheng. The Enhancement of Optical Absorption in HgCdTe/CdTe Quantum Well Induced by ElectricFieldDriven Topological Phase Transition[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2018, 39(5): 648.

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