太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15 (2): 239, 网络出版: 2017-06-06   

一种基于 GaAs FET的 S波段功率放大和整流双向电路

An S-band microwave amplifier and rectifier bi-directional circuit based on GaAs FET
作者单位
四川大学电子信息学院,四川成都 610064
引用该论文

王洪彬, 刘长军. 一种基于 GaAs FET的 S波段功率放大和整流双向电路[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15(2): 239.

WANG Hongbin, LIU Changjun. An S-band microwave amplifier and rectifier bi-directional circuit based on GaAs FET[J]. Journal of terahertz science and electronic information technology, 2017, 15(2): 239.

引用列表
1、 PbS/并五苯场效应晶体管红外光电探测器太赫兹科学与电子信息学报, 2020, 18 (1): 165
2、 一种紧凑型宽带高效微波整流电路太赫兹科学与电子信息学报, 2019, 17 (1): 79

王洪彬, 刘长军. 一种基于 GaAs FET的 S波段功率放大和整流双向电路[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15(2): 239. WANG Hongbin, LIU Changjun. An S-band microwave amplifier and rectifier bi-directional circuit based on GaAs FET[J]. Journal of terahertz science and electronic information technology, 2017, 15(2): 239.

本文已被 2 篇论文引用
被引统计数据来源于中国光学期刊网
引用该论文: TXT   |   EndNote

相关论文

加载中...

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!