采用V型腔腔内二倍频和透镜聚焦方式腔外四倍频结构，基于Nd：YVO₄准三能级激光系统914 nm基频光级联非线性光学频率变换获得连续波228 nm激光输出。在通常情况下，与脉冲运转方式相比，连续运转激光实现透镜聚焦腔外倍频需要较高的平均功率和较好的光束质量。为了获得较高457 nm连续激光输出性能，理论计算V型腔分臂的长度变化对腔内不同位置光斑大小的影响；实验研究了V型腔不同分臂长度对LD端泵Nd：YVO₄/LBO产生457 nm激光输出性能的影响。最终，在泵浦功率为26 W时，获得功率为2.2 W的TEM₀₀模连续波457 nm激光输出，利用I类临界相位匹配BBO晶体对其进行腔外倍频，获得功率为6 mW的228 nm连续波深紫外激光，激光光斑呈椭圆形，一小时内功率稳定性为1.8%。

为了使基于AlGaN外延材料的深紫外发光二极管（DUV LED）的内量子效率（IQE）随驱动电流的增大而降低的幅度减小，有助于DUV LED在一个较大的驱动电流区间可以稳定地工作，提出并研究具有Al组分V型渐变P型电子阻挡层（P⁃EBL）结构的DUV LED。通过Crosslight APSYS软件对常规P型电子阻挡层（P⁃EBL）和Al组分V型渐变P⁃EBL结构DUV LED的能带、极化体电荷、电子电流、空穴浓度、内量子效率、输出功率和自发辐射光谱进行了数值研究。结果表明，在260 mA电流注入时，相比常规P⁃EBL结构，Al组分V型渐变P⁃EBL结构DUV LED的效率降低的幅度减小了5.86%，改善了DUV LED输出性能。根据数值模拟和分析，器件输出性能改善的原因是Al组分三角形渐变P⁃EBL沿生长方向产生的极化体电荷，抵消P⁃EBL与最后一个量子垒层异质结界面处存在的极化面电荷，从而减小了界面处的极化电场。

半导体锁模激光器产生的高重复频率的光脉冲序列在众多领域都有着广泛的应用，而对于绝大多数应用，一个固定而准确的重复频率是必须的。由于此种激光器的重复频率主要由激光器波导的有效折射率和腔长来确定，激光器制成以及解理时的不确定性就可能会给其重复频率带来偏差。为了弄清此种激光器的各种工作条件会怎样影响其重复频率从而对上述的偏差进行补偿，设计并制成了一种2 μm GaSb基单量子阱锁模激光器。激光器采用两段式结构（增益区，饱和吸收体区）并可以在高达60 ℃实现稳定的锁模工作模式。系统地记录了此激光器重复频率随偏置条件（增益区电流，饱和吸收体区电压）以及工作温度的变化规律，并且对产生这些变化的原因进行了分析。这些工作能够让人们更加清楚地认识锁模激光器的特性，从而更好地达到各种应用所需要的重复频率。