Ca2Mg2Al28O46 (C2M2A14)耐火材料具有优异的高温使用性能，为了将这类耐火材料应用在高温窑炉，本工作采用高温固相反应烧结法合成了三元化合物C2M2A14，研究了烧成温度及添加1% (质量分数) Fe2O3对试样相组成演变与组构及其致密化进程的影响。结果表明：C2M2A14在1 650 ℃由六铝酸钙(CA6)与尖晶石反应生成，在1 750 ℃大量生成，随着六方板状CA6转化为多面体C2M2A14和低共熔液相的出现，致密化进程加快。加入Fe2O3后，由原来(1,1,15)晶面择优取向的六方板状晶体转变为(119)晶面择优取向的菱面体，同时由于Fe离子的固溶活化作用，促进了致密化进程，相同烧成温度可获得更加致密的合成产物，经1 780 ℃保温3 h烧成制备的C2M2A14试样显气孔率为12.5%、吸水率为3.9%、体积密度为3.20 g瘙
簚cm?偉d3，获得了一种高温耐火材料。

本文使用正交试验法，研究了富镁镍渣与粉煤灰的质量比、复合碱激发剂(水玻璃-Na2CO3)掺量及水胶比对富镁镍渣-粉煤灰基地质聚合物力学性能的影响，通过XRD、SEM、EDS及TG等测试方法对水化产物进行表征。结果表明，最优试样28 d抗压强度可达37.50 MPa。XRD结果显示，7 d与28 d的水化产物中含有水化硅酸钙凝胶，结合SEM、EDS分析可知，产物中还有菱沸石(N-A-S-H)与钠镁硅铝酸盐(N-M-A-S)无定形凝胶相，这些凝胶相是地质聚合物强度增加的主要原因。

在BB84量子密钥分配协议中，安全密钥通常是从系统的测量结果中提取的，但在实际系统中容易受到攻击。基矢编码量子密钥分配协议的安全密钥在基矢信息中编码，不需要通过测量结果提取，该协议不涉及硬件的变换，只需对数据的后处理进行调整，因此实际系统易操作实现。针对基矢编码协议在实际系统中面临的光子束的截取重发攻击和分束攻击，文章对比分析了基矢编码、BB84和B92协议的实际安全性，分析结果表明，基矢编码协议在抵抗光子束的截取重发攻击和分束攻击方面具有更强的安全性。

设备无关量子密钥分配协议是近年来量子信息领域的重要问题之一, 其安全性不依赖于理想的量子态制备和测量, 从而可以有效避免强光致盲攻击和波长攻击等, 因此具有更高的安全性。设备无关量子密钥分配协议的安全性基于贝尔不等式的违反, 当违反值大于经典值时才可以产生安全密钥。基于 α_CHSH 不等式, 在比特翻转信道模型下研究了设备无关量子密钥分配协议安全性, 并给出了安全密钥率与 α_CHSH 不等式违反值之间的关系。

1160 nm波段垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)是医用橙黄激光的基频光源,但是其发光区的高应变InGaAs量子阱会引起严重的应变积累效应,限制高功率输出。提出一种在单个发光区内采用GaAsP材料对高应变InGaAs量子阱进行二次补偿的方法,保证发光区内的光学吸收层具有高的材料生长质量。提出含Al吸收层的结构,以降低GaAsP势垒引起的能带阻挡效应,提高了发光区光生载流子的注入效率。所制备的VECSEL器件激光波长为1160 nm,输出功率达1.02 W,并获得圆形对称的输出光斑形貌,光斑在正交方向上的发散角分别为10.5°和11.9°。

二维纳米阵列结构因其重要的光学性能被广泛应用于各类光电子器件。本文对自组装单层SiO2纳米球掩模刻蚀法制备GaAs纳米柱二维阵列结构的关键工艺技术进行了研究。采用旋涂法在GaAs表面制备自组装单层SiO2纳米球, 重点研究了GaAs表面氧等离子体亲水处理工艺对纳米球排列特性的影响, 获得最佳工艺条件为功率配比100 W+80 W、腔室压力4 Pa、氧气流量20 mL/min、处理时间1 200 s, 并最终得到排列紧密的大面积单层纳米球薄膜。以单层纳米球为掩模, 采用感应耦合等离子体刻蚀技术在GaAs表面制备了纳米柱阵列并测试了其表面光反射谱。测试结果表明,GaAs纳米柱阵列在特定波段的反射率降低至5%, 远低于表面无纳米结构的薄膜材料表面高达40%的光反射。分析表明纳米柱可以激发米氏散射共振效应, 从而有效降低反射率并提升光吸收。