采用SANAN公司的0.25 μm E-Mode pHEMT工艺，基于ADS仿真，设计了一款工作频率为2.0~4.2 GHz的两级级联的宽带LNA芯片。芯片采用电阻偏压的方式，实现了3.3 V单电源供电。同时，设计了一种改进型的RLC并联负反馈结构，实现了宽带匹配。仿真结果表明，该LNA在2.0~4.2 GHz频段内，最大增益为30.9 dB，增益平坦度为±0.6 dB左右，输入回波损耗小于-9 dB，输出回波损耗小于-12 dB；噪声系数为(1.2±0.14) dB；系统稳定性因子K在全频带内大于2.8；芯片面积为0.78 mm×2.2 mm。

粘接工艺会影响相位校正器的实际性能，然而在研制过程中相位校正器的镜面常出现破损情况。分析粘接工艺后校正面面形的特征和镜面破损的特点发现，镜面玻璃与连接柱头材料之间热膨胀系数差异过大会导致高温固化后校正面相应位置的残余应力过大。建立数值模型对连接处的热应力进行仿真，并选取热膨胀系数与镜面玻璃相近的柱头材料以及固化温度更低的黏接剂减小残余应力。将柱头材料更换为热膨胀系数与玻璃材料（K9）更匹配的3Cr13，实验结果表明，高温固化后相位校正器的静态面形有了极大改善，多次实验均未出现校正面破损的情况。

基于AWSC 2 μm的HBT工艺, 设计了一种用于5G通信N77频段(33～42 GHz)的功率放大器。采用变压器匹配的方式, 显著提高了功率放大器的增益、输出功率和功率附加效率, 解决了放大电路级间匹配较难的问题。仿真和测试结果表明, 在N77工作频段内, 该功率放大器的增益为36～38 dBm, 输出功率1 dB压缩点为37 dBm, 输出功率1 dB压缩点处的功率附加效率为493 %, 输出功率285 dBm处的功率附加效率为165 %、相邻频道泄漏比为-382 dBc。

基于2 μm InGaP/GaAs HBT工艺, 设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器。采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失真和相位失真, 实现了高线性度; 利用二次谐波终端电容改变电路工作模式, 减少时域电压电流的重叠损耗功率, 提高了功率附加效率。结果表明, 在34 V电源电压、28 V偏置电压时, 在工作频带815~915 MHz范围内, 该功率放大器的增益大于295 dB, 输入回波损耗小于-132 dB; 在10 MHz LTE输入调制信号、28 dBm回退输出功率时, 功率附加效率为39%~41%, 第一相邻信道泄漏比ACLR1小于-381 dBc, 第二相邻信道泄漏比ACLR2小于-448 dBc。

利用高密度聚氯乙烯膜( HDPE)缺陷区与完整区同时刻温差特性，采用红外热成像技术对高密度聚氯乙烯膜进行缺陷检测。在持续热源作用下，对不同面积及形状的缺陷进行红外图像采集，记录膜表面不同区域的温 度，分析不同位置温度及红外缺陷阴影区随时间的变化规律，提取温度特征曲线及缺陷最佳检测时间范围。实验结果表明：缺陷区与完整区温度随时间变化趋势整体相同，但在相同时刻存在温度差异且红外图像采集时间为 10～20 min内温差值最明显，可视为缺陷最佳检测时间域，红外热像采集时间为 13 min时，红外图像边缘轮廓与实缺陷轮廓基本一致，该时间为最佳检测时间点。

OGS(One Glass solution)触控显示模组(Touch Panel LCD Module, TLCM)在关机状态下存在边缘黑色光阻(Black Matrix, BM)与可视区色差过大的问题, 外观不美观。本文基于此问题, 对TLCM的膜层结构进行研究, 分析出影响产品色偏的主要因素。首先, 利用光学模拟软件模拟不同叠层和膜层厚度的OGS色偏情况。接着, 根据模拟结果找出影响单体OGS色偏的主要叠层。然后, 参考模拟结果设计几十种不同膜层参数进行实验验证, 并结合设备测试和人眼判级找出最佳一体黑效果。结果表明: 在特定叠层结构中, 消影层(Index Match Film, IM)对一体黑效果影响最大, 其中有双消影层的样品可视区与BM区色差值约1 NBS, 单IM层的产品色差在3.7 NBS以上。

研究了基于高k介质材料的阻变存储器的写入/擦除(SET/RESET)特性和物理机制. 研究发现基于NbAlO材料的阻变存储器SET/RESET电压具有较大波动性, 通过结构优化, 在Al2O3/NbAlO/Al2O3纳米薄片堆垛结构器件中获得高度稳定性的可重复的阻变特性. 基于电场调制效应, 提出了一种统一的电阻开关模型去模拟阻变存储器的SET/RESET行为, 并探讨了单层阻变薄膜的阻变存储器中由导电单元形成和湮灭的巨大随机性引起的阻变特性分布. 当在NbAlO基阻变存储器中嵌入超薄Al2O3膜后, 阻变存储器的SET/RESET电压稳定性将显著提升, 其原因在于采用堆垛结构的阻变器件中各介质层中的电场重新分布并精确可控, 因此导电细丝的导通/断裂通过电场调制作用稳定均匀地在发生在具有高电场的薄缓冲层介质层中.

采用掺杂粉末直拉棒工艺制备了一种小芯径的掺镱光子晶体光纤。以此光纤为增益介质，抽运波长为976 nm，实现了波长为1045 nm 激光连续输出。并研究了抽运功率与光纤长度对激光性能的影响。受限于光纤的小芯径尺寸，该光纤激光器系统激光输出功率最大仅为0.42 W，激光斜率效率仅为33%。实验结果表明，利用掺杂石英粉末直拉棒工艺制备的掺镱光子晶体光纤有望应用于高功率光纤激光器的研制。

提出了一种分步式制备端泵浦型光纤合束器的新方法。采用模具、热缩管、细丝对合束光纤进行规则合束与固定，合束后的输入光纤束在拉锥前无须扭转，可形成一整根光纤的形态，从而能够与商业切割刀、熔接机等设备兼容。采取此方法得到的7×1型光纤合束器的耐受功率大于1 400 W，泵浦耦合损耗低于0.1 dB。测试和分析了封装后合束器的温度分布，光纤聚合物层温升较大，其限制了合束器耐受功率的提升。