1 海军装备部驻重庆地区军事代表局， 重庆 400060
2 重庆光电技术研究所， 重庆 400060
与平面硅相比，黑硅对0.25~2.5μm波长光具有高吸收特性。为了提高硅光敏二极管的近红外灵敏度和响应时间，采用金属辅助刻蚀在光敏二极管探测器背面制作了黑硅微结构。在1064nm波长，探测器红外响应达到0.518A/W，比常规探测器量子效率提高了65%。
金属辅助刻蚀 黑硅 光敏二极管 量子效率 metal-assisted chemical etching black silicon photodiode quantum efficiency
