通过掺杂Rb有助于改善碱锑化合物光电阴极的光谱响应并降低热发射。为了从理论上研究K-Cs-Sb光电阴极材料中掺Rb的作用机理，采用基于密度泛函理论的第一性原理方法，分别建立了K₂CsSb、K₂Cs_0.75Rb_0.25Sb、K₂Cs_0.5Rb_0.5Sb、K₂Cs_0.25Rb_0.75Sb、K₂RbSb 5种不同Cs/Rb比例（原子数分数之比）的K-Cs-Rb-Sb体模型以及相应的（111）表面模型，计算了其电子结构与光学性质。计算结果表明，对于不同Cs/Rb比例的K-Cs-Rb-Sb体模型，Rb掺杂对其光学性质的影响甚微。随着Rb/Cs比例的增加，体模型的形成能和形成焓以及表面模型的表面能变低，说明K-Cs-Rb-Sb化合物容易形成且稳定。此外，与传统的K₂CsSb相比，K₂Cs_0.25Rb_0.75Sb的功函数更大，电导率更大，同时又具有最小的禁带宽度和离化能，因此，Cs/Rb比例为1∶3的K-Cs-Rb-Sb阴极适合作为量子效率高、暗电流低且导电性好的光电发射材料。

半导体光电阴极具有量子效率高、暗电流小的优点，被广泛应用于光电倍增管、像增强器等各类真空光电探测和成像器件，促进了极弱光的超快探测和成像技术的发展。另外作为能够产生高品质电子束的真空电子源，用于加速器光注入器、电子显微镜等科学装置。本文首先介绍了目前常用半导体光电阴极的分类以及在真空光电探测成像、真空电子源领域的具体应用。然后对碱金属碲化物光电阴极、碱金属锑化物光电阴极、GaAs光电阴极三类典型半导体光电阴极的制备技术进行了总结，并介绍了微纳结构、低维材料、单晶外延等新技术在半导体光电阴极研制中的应用。最后对半导体光电阴极的技术发展进行了展望。

微光技术是现代化**夜视装备的支撑技术之一，是研究夜间低照度或非可见光弱辐射强度条件下，对目标进行探测、观察、识别、定位、记录的一类高新技术，具有隐蔽性好、图像清晰的优点。掌握先进的微光技术对于掌控以夜间战争为特点的现代化战争局势至关重要。此外，微光技术也广泛应用于安防监控、辅助驾驶、天文观察、航空航天、资源勘探、生物医学等民用领域。微光技术涉及光学、材料学、物理学、化学等多个学科领域。代表微光技术发展的微光夜视仪其核心部件是微光像增强器，是通过增强目标反射回的微光，实现人眼夜间观察目标图像。微光像增强器向性能提高及光谱响应范围扩展技术方向发展，基于微光像增强器开发的微光系统向信息融合及多功能集成技术方向发展。国外微光技术经过六十多年的更迭和发展，目前正朝着多样化、数字化、彩色化、智能化、集成化的技术方向发展，微光像增强器的性能仍在进一步发展提高。国内微光技术经过四十多年发展已取得了较大进步，但是发展还不充分，与国外最先进微光技术水平仍存在一定差距。为了促进国内微光技术的深入研究和创新发展，2022年 8期，《红外技术》推出了“前沿微光技术”专栏，共收录 8篇学术论文，涵盖了材料、器件、系统方面的研究，内容包括半导体光电阴极的研究进展，氮化镓光阴极薄膜材料表面光电压谱特性，高真空系统气体成分对 GaAs光电阴极稳定性的影响，采用干法刻蚀进行微通道板扩口理论模型，适用于电子倍增器件的电荷灵敏放大器的设计，普通高压电源超二代微光像增强器亮度增益温度特性，超二代与三代像增强器性能的比较，外场微光像增强器成像效果对比评测方法与系统，内容涉及光电阴极、电子倍增器、像管性能评价等多个领域，旨在探讨国内外微光技术领域的先进技术和研究成果，为相关科研人员和广大读者提供学术价值参考，为国内微光技术的研究发展提供一些新思路。

为了探索InGaAs光电阴极高温净化工艺的最佳加热温度点,利用超高真空光电阴极制备与表征互联装置开展了不同加热温度点下的高温净化实验和表面铯/氧(Cs/O)激活实验。通过扫描聚焦X射线光电子能谱对化学清洗后、高温净化后以及表面激活后的InGaAs样品表面进行原位分析,检测不同温度点下表面杂质的脱附程度和化学元素组成变化。结果表明,样品表面的碳污染物和氧化物在625 ℃时都被完全去除,获得原子级清洁表面,但此时In元素会出现挥发现象,导致材料表面In含量降低,会使InGaAs材料的红外响应特性不明显,因此600 ℃被认为是最佳加热温度。结合原位紫外光电子能谱发现二次电子截止边随着温度的升高不断向高结合能的位置偏移,这表明高温净化能有效降低表面功函数值,而Cs/O激活能进一步降低表面功函数值,获得负电子亲和势,提高InGaAs光电阴极的近红外光电发射性能。

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,研究了K-Cs反位、K-Sb反位、Cs-Sb反位对K-Cs-Sb阴极电子结构和光学性质的影响,对不同缺陷模型的能带结构、态密度、形成能等电子结构性质,以及折射率、消光系数、吸收系数等光学性质进行了分析。电子结构性质计算结果表明,Sb被过剩碱金属占据的K-Cs-Sb反位缺陷模型具有间接带隙结构,且呈现n型半导体性质,而K-Cs反位缺陷体系以及碱金属被过剩Sb占据的K-Cs-Sb反位缺陷模型均呈现p型半导体性质。与其他反位缺陷模型相比,K₂Cs_0.75Sb_1.25更容易形成且更稳定。光学性质计算结果表明,碱金属过剩会造成吸收系数峰值往低能端偏移,而Sb金属过剩则相反。在中微子与闪烁体作用辐射的能量范围内(即2.4~3.2 eV),K₂Cs_0.75Sb_1.25的吸收系数最大,折射率最小,相比传统K₂CsSb更适合作为光电发射材料。