1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 1300222
2 艾强(上海)贸易有限公司, 上海 200052
利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW)，通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明，当生长温度为600 ℃、生长速率为1.15 μm/h时，生长的量子阱PL谱较好，增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下，生长速率对量子阱质量的影响，利用模型解释了高In气相比时，随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。
薄膜 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAs单量子阱 生长速率 生长温度 光致发光 光学学报
2014, 34(11): 1131001
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术，在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析，讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响。发现在相同生长条件下，对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构，在GaAs(100)偏<111>A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大，半峰全宽较窄；量子阱层低温生长的样品发光强度更强；增大量子阱层V/III比可以提高样品的发光强度，同时PL谱峰值波长出现红移。
材料 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAs量子阱 偏向角 发光强度 半峰全宽 中国激光
2014, 41(11): 1106001
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
模拟了带有模式扩展层的半导体激光器，研究了中心波导层、扩展波导层和内限制层对激光器性能的影响。经过优化获得了一个条宽为50 μm，远场发散角为23°，阈值电流为117.8 mA，限制因子为2.37%的激光器。远场发散角最小可达到18°，此时阈值电流为200.9 mA。与普通结构比较，优化后的结构远场垂直发散角减小了20°左右，阈值电流并没有明显增加，模拟计算表明模式扩展层没有降低激光器的电学和温度稳定特性。
半导体激光器 模式扩展层 垂直发散角 阈值电流 中国激光
2014, 41(11): 1102004
1 长春理工大学, 吉林 长春 1300222
2 艾强(上海)贸易有限公司, 上海 200052
通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术，在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光测试结果的分析，讨论了势垒层生长温度、势阱层Ⅴ/Ⅲ比以及衬底偏向角对外延片发光波长、发光强度及半峰全宽的影响。发现在相同生长条件下，势垒层低温生长的量子阱发光更强；降低势阱层Ⅴ/Ⅲ比可以增加样品的发光强度，同时发光的峰值波长会出现红移。相同生长条件下，样品的发光强度会随其衬底偏向角的增加而增强，半峰全宽随其衬底偏向角的增大而减小。
金属有机物化学气相沉积 GaAsP/GaInP量子阱 偏向角 发光强度
