杭州电子科技大学通信工程学院,浙江 杭州 310018
研究了高重复频率的谐波自锁模Nd∶YVO4激光器。理论证明了当增益介质与谐振腔的光学长度的比值接近最简分数时,激光器的纵模模式间距可以被修改为增益介质自由光谱范围的整数倍,并对应谐波锁模脉冲输出。开展了相关实验,结果表明,当泵浦功率为6.57 W,增益介质和谐振腔的光学长度分别为11.0 mm和25.8 mm时,对应最简分数为3/7,获得了3倍增益介质自由光谱范围的模式间距纵模分布,对应谐波锁模脉冲的重复频率为40.92 GHz,平均输出功率为790.7 mW。实验还发现,当固定增益介质的光学长度时,获得的谐波锁模脉冲输出对应的谐振腔腔长存在锁定范围,进一步验证了谐振腔腔长锁定范围与增益介质的光学长度成正比。
激光器 激光技术 Nd∶YVO4晶体 高重复频率 谐波锁模
杭州电子科技大学 通信工程学院,杭州 310018
提出了一种基于Nd∶GdVO4晶体的双波长正交偏振被动调Q激光器。建立了对应的速率方程模型,研究了激光器输出双波长脉冲和不同输出镜反射率条件下泵浦功率对激光输出时域特性的影响。理论研究结果表明,通过调节输出镜反射率改变双波长阈值反转粒子数密度,当π偏振阈值反转粒子数密度小于σ偏振阈值反转粒子数密度且差值较小时,激光器可以输出双波长被动调Q脉冲激光,通过增大泵浦功率可以依次产生π偏振单一波长脉冲、双波长多对一脉冲、双波长一对一脉冲、双波长一对多脉冲以及σ偏振单一波长脉冲。搭建实验装置,设置π偏振输出镜反射率为0.60,σ偏振输出镜反射率为0.95,对泵浦功率和激光输出时域特性之间的关系进行验证。随着泵浦功率的增大,激光器依次输出具有上述时域特性的脉冲激光,与数值仿真结果一致。当泵浦功率为5.51 W时,激光器输出正交偏振双波长一对一脉冲激光,其中π偏振和σ偏振的波长分别为1 063.23 nm和1 065.52 nm,平均功率分别为323 mW和462 mW,脉冲峰值功率分别为11.62 W和20.35 W,脉冲宽度分别为185 ns和168 ns,脉冲重复频率为141 KHz。
双波长激光器 固体激光器 被动调Q Nd∶GdVO4 1 063 nm/1 065 nm输出 Dual-wavelength laser Solid laser Passively Q-switched Nd∶GdVO4 1 063 nm/1 065 nm output
杭州电子科技大学通信工程学院,浙江 杭州 310018
设计了一种基于Nd∶GdVO4晶体的增益开关型正交偏振双波长同步脉冲激光器。建立了对应的速率方程数学模型,分析了增益开关型Nd∶GdVO4双波长同步脉冲激光器中的几何损耗对双波长脉冲时域特性的影响。搭建了基于布儒斯特偏振片的Y型腔结构的双波长脉冲激光器进行实验验证,通过调制抽运源电流实现了增益开关。实验结果表明,通过调节输出镜的倾斜角度,可实现双波长脉冲的同步输出。最后,当泵浦功率为6 W时,实验输出了脉冲重复频率为30.7~100.0 kHz可调、最高平均输出功率分别为215 mW和176 mW的正交偏振双波长[1063 nm(π偏振)和1065 nm(σ偏振)]同步脉冲。实验与理论结果吻合较好。
激光器 激光技术 增益开关 双波长激光器 时间特性
1 杭州电子科技大学通信工程学院,浙江 杭州 310018
2 长春理工大学空间光电技术研究所,吉林 长春 130022
在传输矩阵理论推导与实验验证的基础上,提出了一种通道间隔可切换的全光纤梳状滤波器。该滤波器基于双Sagnac环滤波结构,是两个Lyot滤波器的并联。滤波器的两条支路分别由偏振控制器(PC)和不同长度的保偏光纤(PMF)组成,可通过调节PCs,控制光进入PMF时的偏振态,实现通道间隔切换和消光比调谐。其中,通道间隔分别由两支路上的PMFs特性决定,通过改变PMFs的长度和双折射率,可得到不同的通道间隔可切换组合。在上述设计的基础上,增设了一个PC,经实验检验,滤波器的可调性得到了进一步提升。最后,实验证实了以此滤波器为基础构建的多波长光纤激光器( MWFL )在实现通道间隔切换方面的可行性。
光纤光学 梳状滤波器 传输矩阵 Lyot 滤波器 通道间隔可切换 中国激光
2022, 49(21): 2106002
1 杭州电子科技大学 通信工程学院, 杭州 310018
2 同济大学 物理科学与工程学院 先进微结构材料教育部重点实验室, 上海 200092
对手征特异材料介质与陈绝缘体材料界面附近二能级原子的自发辐射特性进行了研究.推导计算了手征介质界面及其与陈绝缘体材料界面的反射系数矩阵, 并根据并矢格林函数求得此环境下二能级原子自发衰减率的表达式.对手征介质和陈绝缘体材料特性参数影响下的原子自发辐射进行了数值计算, 分别对平行和垂直于界面的偶极子自发衰减率进行讨论, 并对辐射模式和消逝模式下的自发辐射进行了分析.结果表明, 由于手征参量的存在, 手征介质界面附近的原子自发衰减率与普通介质相比被增强.陈绝缘体则使得界面附近原子的自发辐射被明显抑制, 且当手征参量较大时, 陈绝缘体的抑制效应更加显著.
量子光学 自发辐射 手征介质 陈绝缘体 二能级原子 Quantum optics Spontaneous emission Chiral medium Chern insulator Two-level atom