中国工程物理研究院 流体物理研究所， 绵阳 621900
为了获取线性易控的可变延迟器，研制了基于SLC-7607A平行向列相液晶的可变延迟器。简要阐述了液晶可变延迟器工作原理和研制工艺过程，采用基于Stokes参量的可变延迟器的相位延迟测量新方法，在入射光波长为632.8nm 时，测出了可变延迟器的相位延迟与控制电压关系特征曲线，测量结果具有很好的重复性。结果表明，电压在1V～2.7V区间，可变延迟器具有线性易控的特点，并拟合出它们的线性关系式。该实验结果对液晶可变延迟器的研制、测量和使用都具有一定的参考价值。
光学器件 液晶 可变延迟器 斯托克斯参量 线性 optical devices liquid crystal variable retarder Stokes parameter linearity
中国工程物理研究院流体物理研究所， 四川 绵阳 621900
利用Jones矩阵法，理论上分析了方位角分别为 0°和-45°的2个可变相位延迟器组成的偏振转换器可实现任意偏振态到水平线偏振态的转换，并推导出可变相位延迟器延迟量的表达式。利用自主研制的液晶相位可变延迟器的相位延迟，在1V～2.7V范围，根据驱动电压连续线性可调的特性, 设计了两片液晶可变相位延迟器组成的偏振态转换器，实现了随机偏振态(Stokes参数为(-0.567，0.752，0.36))到水平偏振态(Stokes参数为(1，0，0))的可控调制，实验结果验证了理论分析结果。该偏振态转换器还可以实现其他任意偏振态到水平偏振态的调制。
光纤通信 偏振转换器 液晶可变相位延迟器 偏振态 fiber communication polarization converter liquid-crystal variable retarder polarization state
中国工程物理研究院 流体物理研究所，四川 绵阳 621900
提出了一种由快轴保持正交方位放置的两片相同的液晶可变相位延迟器构成的可变纯相位延迟器结构设计。利用琼斯矩阵，从理论上推导了该结构在任意偏振光入射条件下，出射光偏振态与入射光偏振态保持一致。实验上，在两片液晶可变相位延迟器所加电压分别为1.55 V 和1.49 V 时，分别测量了入射光和出射光的偏振态，表征偏振态的入射光和出射光的Stokes 参数基本一致。上述两者结果都表明，该结构具有较好的纯相位调制特性，并给出了控制电压在1~2.7 V 范围时的相位变化。
可变相位延迟器 偏振态 液晶 相位 variable retarder polarization states liquid crystal phase
中国工程物理研究院流体物理研究所, 四川 绵阳 621900
利用800 nm波长的飞秒抽运探测技术测量了单晶硅表面50 ps内的瞬态反射率变化,研究了表面载流子的超快动力学过程。基于自由载流子密度变化过程建立的反射率模型可以很好地描述瞬态反射率变化,说明受激自由载流子超快响应的贡献主导了反射率的变化过程,经拟合获得了样品的表面复合速度(SRV)为1.2×106 cm/s。建立了耦合的载流子输运模型,探讨了单晶硅表面热载流子的密度、温度随时间的演化过程。研究表明,表面复合过程是影响本征单晶硅表面载流子动力学的重要因素。
超快光学 飞秒激光 抽运-探测 载流子动力学 单晶硅表面
中国工程物理研究院 流体物理研究所，绵阳 621900
用1．06μm连续激光辐照TiO2／SiO2薄膜元件，在不同强度下测量了激光辐照TiO2／SiO2薄膜元件引起反射信号幅度随时间的变化，并观察到薄膜从基体材料表面起泡、膜层脱落的现象。研究结果表明，TiO2／SiO2薄膜的反射光信号变化是连续激光辐照薄膜元件产生的热效应引起的；在激光辐照过程中，薄膜元件基体材料产生的热变形差别是基体起泡、脱落的主要原因。
连续激光 薄膜 热效应 损伤效应 CW laser thin film thermal effect damage effect
1 四川大学电子信息学院,四川,成都,610064
2 中国工程物理研究院流体物理研究所,四川,绵阳,621900
用脉宽为60 fs、波长为800nm的fs激光辐照电荷耦合器件,研究了电荷耦合器件在fs激光作用下的失效问题.实验得到fs激光作用下电荷耦合器件的失效阈值为4.22×10-3J/cm2.这比ns激光作用下电荷耦合器件的损伤阈值低2～3个量级.对该器件进行显微观测,在光敏元上没有发现损伤,但在器件的栅极上发现了明显的激光引起的损伤痕迹.
fs激光 电荷耦合器件(CCD) 失效阈值 Femtosecond laser Charge coupled devices （CCD ） Failure threshold
中国工程物理研究院,流体物理研究所,四川,绵阳,621900
对飞秒激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了实验测量,对从ls到60fs不同脉宽激光辐照下硅光电二极管损伤阈值进行了讨论.实验数据表明,在ls到10ns脉宽范围内损伤所需能量密度近似而非严格地与脉宽的平方根成正比.信号分析表明硅光电二极管的损伤主要由热效应造成,而60fs激光辐照下的损伤阈值为0.1J/cm2,明显偏离普通温度分布预言的趋势.
飞秒激光 硅光电二极管 损伤阈值 脉宽效应 Femtosecond laser Si photodiode Damage threshold Duration effect
