为实现氧化物TFT(Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistor, IGZO TFT)特性的最优化, 采用I-V数据和SEM(Scanning Electron Microscope)图片研究蚀阻挡层(Etch-Stop Layer, ESL)沉积条件与氧化物TFT特性的关系。通过调整沉积温度、正负极板间距、压力和功率, 分析了PECVD 沉积ESL SiO2的成膜规律, 并对所得到的TFT进行了特性分析。发现ESL膜层致密性过差时, 后期高温工艺会造成水汽进入IGZO半导体膜层, 从而引起TFT 特性恶化。而采用高温、高压力等方法取得高致密性的ESL膜层由于高强度等离子体对IGZO本体的还原反应也会致使TFT 特性劣化。结果表明, 在保证膜层致密性前提下, 等离子体对IGZO本体伤害最小的ESL沉积条件才是最优化的ESL沉积条件。

目前京东方部分产品量产时易出现重力Mura、低温气泡等问题, 本文针对问题产生的原因进行分析, 并对PS高度测试方法、PS高度与液晶量的联动方法进行分析研究及实验验证。目前测试PS高度的方法并未考虑工艺波动造成的色阻段差的变化对盒内体积的影响, 本文首先提出了可以反映量产时色阻变化的PS高度测量方法, 另根据LC Margin评价结果及PS 形变量结果给出了PS高度与液晶量的联动关系。通过对PS高度与液晶量联动的分析研究, 有效解决了因量产工艺波动造成的PS偏差引起的实际量产时滴下的液晶量并非对应的LC Margin中心的问题, 从而避免出现重力Mura和低温气泡等LC Margin相关的问题, 并且扩大了3%的工程管控范围, 为企业的产品品质和竞争力的提升奠定了良好的基础。

本实验于原有的单底栅a-Si TFT产品结构下，通过增加不同的顶栅极设计方式(不同a-Si覆盖比例、不同沟道几何形貌、不同沟道W/L比例)来研究双栅极设计对a-Si TFT特性的影响。实验结果显示双栅极a-Si TFT比现行单底栅a-Si TFT可以提升Ion 7%、降低SS 3%、同时对Ioff以及TFT稳定性影响不明显，显示双栅极a-Si TFT设计结构具有在不提高成本以及不变更工艺流程下，达到整体提升TFT特性的效果。顶栅极 TFT 特性不如底栅极，推测为 a-Si/PVX 界面不佳使得电子导通困难导致，未来可以借由改善a-Si/PVX 界面工艺提升顶栅极 TFT 特性。

通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响。实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构（源漏极→ITO像素电极）二者有比现行HADS结构（ITO像素电极→源漏极）更高的Ion，提升比率达到40%。推测主要原因为现行HADS结构（ITO像素电极→源漏极）在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低。对于HADS产品，倒反HADS结构（源漏极→ITO像素电极）可以具有更好的TFT特性表现。对现行HADS结构，在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低；对于倒反HADS结构，沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响。对于Poole-Frenkel区域，现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构（源漏极→ITO像素电极）二者较低Ioff［Vg=-20 V］，下降达50%,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响。

偏光片作为液晶显示器的重要组成部分之一, 其特性会直接影响到显示器的画面显示效果。文章首先对偏光片的基本组成进行了介绍, 依据水分与偏光片透过率的关系, 对偏光片相关的一种不良形成机理进行了分析, 表明该不良的形成与湿度及偏光片的材质存在较大的相关性, 通过使用不同材质偏光片的模组进行温湿度变化实验, 验证了该不良的发生机理, 同时针对该不良提出了改善方法, 即在液晶显示器显示区域内避免偏光片局部与其他部品发生接触, 或者在偏光片选取方面需选用位相差变化小的产品。

快门式3D液晶显示是目前的市场主流, 改善其串扰问题可以提高显示品质。文中描述了一种采用预充电和充电方式进行像素数据写入的侧边式LED背光快门眼镜3D显示装置。配合背光LED时序, 实现了较高的3D显示亮度的同时, 降低了3D显示中的串扰。并且在实验中制作出一个139.7 cm(55 in)快门眼镜式3D显示装置, 采用预充电和充电方式进行像素数据写入的信号驱动方法, 并采用8组LED背光扫描进行时序控制。对制作的显示装置进行信号测试, 3D光学测试, 结果表明用此种方法主要可以降低液晶响应时间以及3D串扰。

画面闪烁是TFT-LCD的重要缺陷。文章通过一系列的实验, 观察了Photo-Ioff、Vcom、Flicker、Vgs之间的关系, 并给出了机理解释。Vgs的变化产生ΔVp, 导致Vcom的漂移, 形成闪烁, 但如果Vcom的均匀性较好, 这种闪烁理论上可以通过Vcom调整消除。Photo-Ioff造成在正、负极性电压下像素的电压保持特性不同, 引起Vcom进一步的漂移和闪烁。通过降低Photo-Ioff和提高Vgl, 可以改善闪烁现象。

为研究画面闪烁与光照漏电流(Ioff-p)的关系, 文章进行了一系列的实验。首先利用色彩分析仪(CA310)分别测试了3张面板正、反两面的闪烁。其次通过测量闪烁随背光源亮度的变化研究了其与光照的关系。同时还采用光敏放大器测试了面板正、反两面闪烁画面下的亮度信号, 并给出了原理性解释。最后采用半导体参数设备对TFT进行了I-V特性测试。所有的实验结果均表明, Ioff-p过大能够导致像素电压无法有效保持, 从而使正负帧的亮度产生较大差异, 最后造成闪烁偏高。

薄膜晶体管(TFT)作为像素单元充放电的开关，其漏电流(Ioff)大小是影响液晶屏性能的重要参数之一。文章利用薄膜晶体管的非晶硅层为光敏材料的特点，通过液晶屏翻转实验、背光亮度变化实验、min flicker-Vcom变化实验测量了flicker的大小，验证了光照强度增强导致Ioff增加后，出现了flicker增大的现象，确定了Ioff过高导致flicker的测试方法，通过实验进一步确定了Ioff大小对flicker的影响。

最近白光有机电致发光二极管(White organic light-emitting diode,WOLED)的研究和应用取得了长足的发展。由于WOLED本身无可比拟的优点,用于全色彩有机电致发光显示、照明光源以及液晶显示器的背光源。根据白光器件的不同结构,综述了WOLED最新研究进展,探讨了其中的优缺点,总结了WOLED最新应用成果,并提出了发展高效、稳定的白光器件的新思路。