Y掺杂的BaZrO3因其优异的化学稳定性而被广泛研究。然而，较高的烧结温度限制了其应用。为改善BaZrO3的烧结活性，对Y-BaZrO3采用Pr3+和Ni2+进行共掺杂，并对其微观形貌及电化学性能进行研究。Ni与材料形成固溶体，Pr3+的掺杂增大了晶粒尺寸，这对致密化过程极为重要。XPS、Raman和EPR结果表明，少量Pr3+掺杂可以增加材料的氧空位含量，并通过加速水的解离和吸附促进质子进入，从而促进质子传导。然而，过量Pr3+掺杂导致的高浓度氧空位会产生缺陷缔合反应，使低温下的电导率略有下降。随着温度的升高，氢分离膜的氢渗透性也增加。此外，BaZr0.66Y0.2Pr0.1Ni0.04O3-δ的氢渗透性高于BaZr0.71Y0.2Pr0.05Ni0.04O3-δ，在1 173 K时，氢渗透性达到2.60×10-8 mol·cm-2·s-1。

针对雾天遥感图像目标检测困难的问题, 提出了一种基于Mask R-CNN的改进方法。在Mask R-CNN的基础上加入去雾算法, 使雾天情形下检测精度提升18.71%, 有效改善雾天场景下目标检测的效果。为进一步提高遥感图像中多尺度目标的检测精度, 采用基于最优的特征组合的循环神经网络代替特征金字塔结构, 减少了特征信息在传递过程中的流失; 重新设计区域建议网络生成候选框的尺寸, 并采用Soft-NMS筛选候选框, 减小候选框的回归误差。经过实验分析, 改进后算法的检测精度和召回率分别提升5.37%和6.37%。

采用化学气相沉积(CVD)方法进行碳化硅(4H-SiC)同质外延生长, 生长过程中温场分布是决定外延层质量的关键因素。对CVD系统的温场分布进行了仿真研究, 并采用无偏角4H-SiC衬底进行同质外延生长实验验证。结果表明, 无偏角4H-SiC外延层中的3C-SiC多型体夹杂与生长室温场分布密切相关。实验数据验证了仿真结果, 两者的温度分布具有高度一致性, 这也证明了仿真数据的有效性。

针对高精度光纤平台系统误差补偿的需求，有效地提高光纤平台的应用精度及启动快速性，该文考虑了加速度计的杆臂误差、惯性仪表的时间不同步误差、安装误差及标度因数误差等误差特性，建立了两级标定的Kalman滤波方程。采用Kalman滤波法实现误差参数的辨识，并对该方法进行了仿真分析和实验验证。仿真和实验结果表明，所设计的系统级标定方法能够估计出所有的误差参数，且具有较高的应用性能，对于提升高精度光纤平台的应用精度具有重要意义。

无掩模光刻技术具有无需物理掩模、成本低、适合大批量生产的优点，在微结构制作中得到了广泛应用。基于数字微镜器件（DMD）的无掩模数字光刻技术具有分辨率高、灵活性好、加工精度高等优势，成为近年来数字光刻领域的研究热点。综述了DMD数字光刻技术的研究进展，包括基于DMD的扫描光刻技术、步进式光刻技术以及灰阶光刻技术，介绍了该方法在集成电路、微光学、三维打印等领域的应用，并总结了目前DMD光刻技术存在的问题及其未来发展趋势。

采用碟片激光器对1.8 mm厚TA15轧制板与（1.8 +1.8） mm厚ZTA15铸造钛合金锁底接头进行激光焊接，借助X射线衍射仪和金相显微镜分别观察了焊缝内部质量和显微组织，对激光焊后锁底接头的力学性能做出评估，通过扫描电子显微镜对锁底接头拉伸断口进行了分析。结果表明：选用合适的激光焊接工艺，可获得成形良好、表面呈银白色金属光泽、内部无超标缺陷的焊缝，同时接头具有优异的力学性能。焊缝中心和HAZ组织由细长针状马氏体α′+α相+β相组成，锁底接头拉伸断裂部位主要在焊缝区，断裂形式属于以韧性断裂为主并伴有脆性断裂的混合断裂。