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Abstract
National Key Lab of High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China
To investigate the relationship between indium content and optical properties during epitaxial growth of an InGaAs/GaAs single quantum well (SQW), simulation and experiments are demonstrated. The epitaxial growth is demonstrated with low-pressure metal–organic chemical vapor deposition. Photoluminescence (PL) spectroscopy is applied to research the PL properties at room temperature. The In/(In+Ga) varies from 0.24 to 0.36, resulting in an increasing of the full-width half-maximum (FWHM) with the wavelength exhibiting a red-shift. A SQW with an In/(In+Ga) of 0.36 is manufactured, where a FWHM of 23.9 meV is obtained. An InGaAs SQW sandwiched by GaAsP is prepared, which is observed to exhibit a diminished FWHM of 17.0 meV with the wavelength revealing a blue-shift.
Chinese Optics Letters
2015, 13(Suppl): S21602
1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 1300222
2 艾强(上海)贸易有限公司, 上海 200052
利用低压金属有机化学气相沉积技术(LP-MOCVD)生长InGaAs/GaAs单量子阱(SQW)，通过改变生长速率、优化生长温度和V/III比改善了量子阱样品的室温光致发光(PL)特性。测试结果表明，当生长温度为600 ℃、生长速率为1.15 μm/h时，生长的量子阱PL谱较好，增加V/III比能够提高量子阱的发光强度。实验分析了在不同的In气相比条件下，生长速率对量子阱质量的影响，利用模型解释了高In气相比时，随着生长速率增加PL谱蓝移现象消失的原因。
薄膜 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAs单量子阱 生长速率 生长温度 光致发光 光学学报
2014, 34(11): 1131001
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术，在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析，讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响。发现在相同生长条件下，对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构，在GaAs(100)偏<111>A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大，半峰全宽较窄；量子阱层低温生长的样品发光强度更强；增大量子阱层V/III比可以提高样品的发光强度，同时PL谱峰值波长出现红移。
材料 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAs量子阱 偏向角 发光强度 半峰全宽 中国激光
2014, 41(11): 1106001
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
模拟了带有模式扩展层的半导体激光器，研究了中心波导层、扩展波导层和内限制层对激光器性能的影响。经过优化获得了一个条宽为50 μm，远场发散角为23°，阈值电流为117.8 mA，限制因子为2.37%的激光器。远场发散角最小可达到18°，此时阈值电流为200.9 mA。与普通结构比较，优化后的结构远场垂直发散角减小了20°左右，阈值电流并没有明显增加，模拟计算表明模式扩展层没有降低激光器的电学和温度稳定特性。
半导体激光器 模式扩展层 垂直发散角 阈值电流 中国激光
2014, 41(11): 1102004
1 长春理工大学, 吉林 长春 1300222
2 艾强(上海)贸易有限公司, 上海 200052
通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术，在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光测试结果的分析，讨论了势垒层生长温度、势阱层Ⅴ/Ⅲ比以及衬底偏向角对外延片发光波长、发光强度及半峰全宽的影响。发现在相同生长条件下，势垒层低温生长的量子阱发光更强；降低势阱层Ⅴ/Ⅲ比可以增加样品的发光强度，同时发光的峰值波长会出现红移。相同生长条件下，样品的发光强度会随其衬底偏向角的增加而增强，半峰全宽随其衬底偏向角的增大而减小。
金属有机物化学气相沉积 GaAsP/GaInP量子阱 偏向角 发光强度
