介绍Nd:Lu0.5Gd0.5VO4混晶的被动调Q激光特性。与Nd:GdVO4调Q激光相比较,发现Nd:Lu0.5Gd0.5VO4具有明显的能量增强效应。

对于实验室合成的反-4,4'-双(N,N-二丁胺基)二苯乙烯分子,实验测量了该分子的单光子和双光子荧光谱,然后从理论上研究了其单光子和双光子吸收特性.研究结果表明,在低能量范围内,分子的单光子吸收主要发生在分子的第一激发态,而分子的双光子吸收主要发生在分子的第二和第四激发态上.该分子在相应系列衍生物中具有最大的双光子吸收截面.分子的相关能对分子的激发态能量影响较大.我们给出了分子基态与电荷转移态的电荷转移过程,并从理论上定性解释了双光子聚合反应的聚合机理.

报道了一种新型激光二极管(LD)端面抽运Nd∶GdVO4微片激光器,测量了抽运输入功率与激光输出功率的关系,激光阈值功率为83 mW,在2 W的抽运功率下得到860 mW的1.064 μm基横模连续激光输出,光-光转换效率为43%,最大斜度效率达到47%。

用提拉法生长了Nd:Gd_xLa_1-xVO₄系列晶体(x=0.8, 0.6, 0.45), 对影响晶体质量的因素进行了分析,测 量了三种晶体的结构和晶胞常数;测量了Nd:gd0.8La0.2VO4和Nd:Gd0.6La0.4VO4晶体的室温吸收谱和荧光谱；用LD泵浦Nd:Gd0.8La0.2VO4晶体,实现了 1.06 μm和1.34 μm的激光输出。

从实验上研究了一种染料trans-4-[p-(N-hydroxyethyl-N- methyl amino) styryl]-N-methylpyridinium p-toluene sulfonate(简称HMASPS)双光子抽运的频率上转换及双光子吸收引起的非线性吸收情况.当抽运功率密度超过一定阈值时,染料发出超辐射荧光.测量了从900～1150 nm抽运波长范围的荧光激射上转换效率和720～1100nm范围的非线性吸收情况.在920 nm处具有最大有效双光子吸收截面44.3×10-48 cm4s/photon,在1064 nm处为2.77×10-48 cm4s/photon.最高上转换效率7%位于990 nm,而在1064 nm为4.3%.

报道了一种新型上转换染料--反式-4-[4'-(N-羟乙基-N-乙基胺基)苯乙烯基]-N-甲基吡啶-对甲苯磺酸盐(trans-4-[4'-(N-hydroxyethyl-N-ethylamino)styryl]-N-methylpyridiniump-toluenesulfonate,简称HEASPS)DMF溶液的激光上转换性质和光限幅性质.用Z-扫描技术测得其双光子吸收截面为σ2=4.7×10-48cm4·s/photon,研究了它在DMF溶剂中的线性吸收、单光子荧光、双光子荧光和双光子激射特性,用再吸收效应解释了双光子荧光峰相对单光子荧光峰的红移现象,该染料的激射和再吸收现象相互竞争导致了双光子激射峰相对于双光子荧光峰的蓝移现象.在1064nm皮秒脉冲激光的激发下,可得强烈的626nm上转换激射光,上转换效率最高为15.5%,从抽运光到激射光的净转换效率为26%.该染料的DMF溶液表现出明显的光限幅特性.

本文利用集成光学和光纤技术制作了集成光学调制器,驱动调制器的电压仅为4伏,配之以高稳定的、LD泵浦的单纵模振荡源和任意整形电脉冲源,大大提高了ICF固体激光驱动器前级整形系统对激光脉冲整形的稳定性和灵活性.

本文利用GaAs场效应晶体管电压控制电流和开关特性成功研制了任意整形电脉冲发生器,该整形电脉冲发生器的每个基元电路产生的基元电脉冲形状和宽度与加在栅极的触发信号相同,幅度由加在GaAs场效应晶体管上的负偏压决定,各基元电路产生的用于叠加的基元电脉冲相互独立,使计算机控制栅极偏压进而控制整形电脉冲的形状成为可能.