作者单位
摘要
重庆京东方光电科技有限公司, 重庆400700
本文通过电学特性测试设备在黑暗(Dark)和光照(Photo)两种测试环境下, 研究了沟道不同a-Si剩余厚度对TFT电学特性的影响。通过调整刻蚀时间改变沟道内a-Si 剩余厚度, 找出电学特性稳定区域以及突变的临界点。实验结果表明: 在黑暗(Dark)环境下a-Si 剩余厚度在30%~48%之间时, TFT器件的电学特性比较稳定, 波动较小; 而剩余厚度少于30%时, TFT特性变差, 工作电流变小, 开启电压变大, 电子迁移率变小; 在光照环境下主要考虑漏电流的影响, 在a-Si剩余厚度43%以内时, 光照 Ioff相对较低(小于Spec 20 pA), 同时变化趋势较缓; 而剩余厚度大于43%时, 光照Ioff增加25%, 同时变化趋势陡峭。综合黑暗和光照测试环境, 在其他条件不变的情况下, a-Si 剩余厚度在30%~43%之间时TFT的电学特性较好, 同时相对稳定。
a-Si剩余量 电学特性 工作电流 漏电流 a-Si remain electrical characteristics Ion Ioff 
液晶与显示
2019, 34(7): 646
作者单位
摘要
重庆京东方光电科技有限公司, 重庆400700
IGZO-TFT钝化层设计三元复合过孔结构, 出现了20%过孔相关不良。本文以CF4/O2为反应气体, 采用控制变量法, 从功率、气体成分和比例、压力等方面对氧化物TFT钝化层的电感耦合等离子体刻蚀机理进行研究。当钝化层为SiO2或SiNx单组分时, 氧气可以促进刻蚀反应; 随着CF4/O2比例增加, 刻蚀速率先增大后趋于稳定, 并且当CF4/O2=15/8时, 刻蚀速率和均一性达到最优; 与源功率相比, 提高偏压功率在提升刻蚀速率中起主导作用, 同时均一性控制在15%以内; 当压力在4 Pa以内时, 刻蚀速率随着压力的降低而增加。据此分析, 对复合结构SiNx/SiO2、SiO2/SiNx、SiNx/SiO2 /SiNx的刻蚀过程进行优化, 得到了形貌规整、无残留物的过孔, 过孔相关不良得到100%改善。
氧化物TFT 三元复合结构 钝化层 过孔刻蚀 IGZO-TFT ternary composites passivation hole etching 
液晶与显示
2019, 34(6): 564
作者单位
摘要
1 内蒙古大学 化学化工学院, 内蒙古 呼和浩特010021
2 内蒙古化工职业学院, 内蒙古 呼和浩特010011
合成了以水杨醛甘氨酸席夫碱(Sal-GlyK)、邻菲罗啉(Phen)和2,2′-联吡啶(Bipy)为配体、Eu3+、La3+为中心的配合物。对其进行了元素分析和摩尔电导、红外光谱及紫外吸收光谱测定, 推测配合物的组成分别为RE(Sal-Gly)(NO3)·2H2O和RE(Sal-Gly)(Phen)(NO3)·H2O、RE(Sal-Gly)(Bipy)(NO3)·H2O(RE3+=Eu3+, La3+)。通过紫外吸收光谱及荧光光谱研究了稀土配合物与小牛胸腺DNA的作用方式及其结合常数。结果表明, 本文合成的配合物与DNA的结合能力的顺序为RE(Sal-Gly)(Phen)(NO3)·H2O>RE(Sal-Gly)(Bipy)(NO3)·H2O >RE(Sal-Gly)(NO3)·2H2O, 表明配合物是以插入方式与DNA结合, 含有良好平面性和较大表面积配体的配合物可以更好地插入到DNA的碱基对中。
稀土配合物 水杨醛甘氨酸席夫碱 小牛胸腺DNA 插入作用 rare earth complexes salicylideneglycine schiff base CT-DNA intercalation model 
发光学报
2014, 35(3): 366
作者单位
摘要
内蒙古大学 化学化工学院, 内蒙古 呼和浩特010021
分别以对羟基苯甲酸、对苯二甲酸和2,4,6-三吡啶基三嗪为配体, 铽、钐为中心合成了两个系列共10种配合物。对所合成的配合物进行了元素分析、电导率测定、紫外光谱和红外光谱的测试,推测其组成分别为: RE(TPTZ)(NO3)3(C2H5OH)·H2O, RE(TPTZ)2(NO3)3(C2H5OH)·H2O,RE2(TPTZ)(NO3)6(C2H5OH)·2H2O, RE(TPTZ)(C7H5O3)3(C2H5OH)·2H2O和RE2(TPTZ)2(C8H4O4)(NO3)4(C2H5OH)·H2O (RE=Tb, Sm)。硝酸根、芳香酸的氧原子以及TPTZ的主配位点氮原子与稀土离子成键。对羟基苯甲酸的三重态能级及配合物的荧光测试表明, 虽然对羟基苯甲酸三重态能级低于Tb3+和Sm3+离子的最低激发态能级, 但该配体和具有芳香环的配体TPTZ耦合, 能与Tb3+和Sm3+离子形成发光较好的稀土配合物。对苯二甲酸对铽和钐配合物的荧光增强最大, 同时, 稀土离子浓度高则荧光强度也高, 在这两个系列配合物中未见浓度猝灭现象。
6-三吡啶基三嗪 对羟基苯甲酸 对苯二甲酸 稀土配合物 2 2 4 4 6-tri(2-pyridyl)-1 3 5-triazine p-hydroxybenzoic acid terephthalic acid rare earth complexes 
发光学报
2013, 34(10): 1339
作者单位
摘要
内蒙古大学 化学化工学院, 内蒙古 呼和浩特 010021
分别以苯氧乙酸和对苯二甲酸为阴离子配体,以邻菲罗啉为中性配体, 稀土铕离子为中心体,合成了两种三元稀土铕配合物Eu(Phen)L3(L=苯氧乙酸)和Eu2(Phen)2L′3 (L′=对苯二甲酸)。利用还原法制备纳米银溶胶, 采用改进的Stber法在银纳米颗粒外面包裹二氧化硅, 通过控制正硅酸四乙酯(TEOS)的滴加时间和滴加量以控制二氧化硅壳层的生长厚度, 得到Ag@SiO2核壳结构颗粒。通过该核壳结构颗粒与DMF溶解的稀土铕配合物的相互作用, 得到核壳型Ag@SiO2荧光纳米复合物。结果表明, 所得纳米银粒径为50 nm左右, 包覆的SiO2壳层厚度约为12 nm。SiO2包覆的纳米银对两种铕配合物的荧光发射有明显的增强作用。
Ag@SiO2纳米复合物 铕配合物 荧光 增强 Ag@SiO2 nanoparticles europium complexes fluorescence enhancement 
发光学报
2012, 33(11): 1181
作者单位
摘要
内蒙古大学化学化工学院, 内蒙古 呼和浩特 010021
在600 ℃下用自蔓延高温法制备了SrAl2O4∶Eu2+0.012 5, RE3+0.012 5 (RE3+=Ce3+, Pr3+, Nd3+, Tb3+, Dy3+), SrAl2O4∶Eu2+0.012 5, M0.012 5(M=Li+, Be2+, Cd2+, Mn2+, Cu2+, Ag+, Zn2+, Pb2+), SrAl2O4∶Eu2+0.012 5, Dy3+0.012 5, M0.012 5(M=Mn2+, Cu2+, Ag+, Zn2+)及SrAl2O4∶Eu2+0.012 5, Dy3+0.012 5, RE3+0. 012 5 (RE3+=Ce3+, Pr3+, Nd3+, Tb3+)四个系列21种掺杂的铝酸锶(SrAl2O4)稀土长余辉发光粉。 反应得到的产物疏松多孔, 有很强发射峰位于514 nm附近, 激发光谱为290~360 nm 的宽带激发峰, Dy3+对余辉时间影响最明显, Tb3+对发光强度影响最大, 组成为SrAl2O4∶Eu2+0.012 5, Dy3+0.012 5的发光粉的发光强度及余辉时间较好, 掺入锌离子后形成SrAl2O4∶Eu2+0.012 5, Dy3+0.012 5, Zn2+0.012 5可显著提高初始余辉亮度。
长余辉 铝酸锶 稀土 自蔓延高温合成 Long afterglow SrAl2O4 Rare earth complex Self-propagating high-temperature synthesis (SHS) 
光谱学与光谱分析
2011, 31(6): 1467
作者单位
摘要
内蒙古大学 化学化工学院, 内蒙古 呼和浩特010021
分别以2,4,6-三吡啶基三嗪(TPTZ)、对羟基苯甲酸和对苯二甲酸为配体,以Dy3+为中心合成了不同组成的5种配合物。对其进行了元素分析、紫外光谱、红外光谱、荧光激发和发射光谱的测定。推测配合物的组成分别为: (1)Dy(TPTZ)(NO3)3 (C2H5OH )·H2O; (2)Dy(TPTZ)2(NO3)3(C2H5OH )·H2O; (3)Dy2(TPTZ)(NO3)6(C2H5OH )·2H2O; (4)Dy(TPTZ)(C7H5O3)3 (C2H5OH)·2H2O; (5)Dy2(TPTZ)2-(C8H4O4)(NO3)4(C2H5OH )·H2O。硝酸根的氧原子、芳香酸的羧基氧和稀土离子配位,TPTZ以主配位点和中配位点的氮原子与稀土离子成键。配合物的形成对配体的共轭π-π*跃迁影响不大。荧光强度测试表明,硝酸根、不同的芳香羧酸作为阴离子配体的镝配合物的发光强度有很大差别。芳香羧酸配体对镝配合物的荧光增强最大,镝离子浓度高,荧光强度也高。配合物(2)荧光强度大于配合物(1),配合物(3)荧光强度大于配合物(2),可见配体TPTZ多或者发光离子浓度高则配合物发光强度高; 配合物(4)荧光强度强于配合物(1),表明对羟基苯甲酸吸收和传递光能强于硝酸根; 配合物(5)的荧光强度是5个配合物中最高的,表明对苯二甲酸三重态能级与Dy3+的最低激发态能级匹配,对光的吸收和传递也好,同时也看出发光的Dy3+离子量增加,配合物的发光强度增强。
6-三吡啶基三嗪 对羟基苯甲酸 对苯二甲酸 镝配合物 2 2 4 4 6-Tris(2-pyridyl)-1 3 5-triazine p-hydroxybenzoic acid p-phthalic acid dysprosium 
发光学报
2011, 32(9): 869
作者单位
摘要
1 内蒙古大学化学化工学院, 内蒙古 呼和浩特010021
2 北京大学稀土材料化学及应用国家重点实验室, 北京100871
以1,3,5-苯三甲酸根(BTC3-)为阴离子配体, 1,10邻菲啰啉(phen)为中性配体, 以不同摩尔比铽、 钇离子为中心体, 合成了系列铽掺钇配合物。 经C, N, H元素分析, 稀土总量络合滴定和铽、 钇分量的测定推测配合物的组成为(TbxY1-x)(HL)L′Cl·1/2H2O(x=0.10, 0.30, 0.50, 0.70, 0.90, L=BTC3-, L′=phen); 配合物的波谱测定结果表明, 配体1, 3, 5-苯三甲酸根的羧基氧原子和稀土离子配位成键; 1, 10邻菲啰啉的氮原子与稀土离子螯合成环。 荧光发射光谱测试表明, 该类配合物是一类发光强度较好的配合物, 不发光的钇离子对铽离子的发光有明显的增强作用, 铽: 钇为0.7: 0.3的配合物(Tb0.7Y0.3)(HL)L′Cl·1/2H2O的发光强度最大。
5-苯三甲酸 10-邻菲啰啉 铽配合物 掺杂 1 1 3 3 5-benzene tricarboxylic acid 1 o-phenanthroline Terbium complex Doped 
光谱学与光谱分析
2011, 31(8): 2144
作者单位
摘要
内蒙古大学 化学化工学院, 内蒙古 呼和浩特 010021
分别以二苯甲酰甲烷(HDBM)、1-苯基-3-联苯基-1,3-二酮(HPBPD)为第一配体, 以邻菲啰啉(phen)、二吡啶并[3,2-a:2′,3′-c]哇喔啉(dpq)、二吡啶并[3,2-a:2′,3′-c]吩嗪(dppz)为第二配体合成了11种三元稀土配合物, 对它们进行了元素分析、红外光谱、紫外光谱、差热-热重分析、荧光激发和发射光谱的测定。结果表明, 配合物的组成为: RE(DBM)3L和RE(PBPD)3L·1/2H2O(RE3+=Eu3+, Tb3+; L=phen, dpq, dppz), 所有配合物均为非电解质; β-二酮配体通过羰基氧原子与稀土离子螯合成键, 氮杂菲配体配位方式类似于邻菲啰啉, 通过两个氮原子配位; β-二酮铕系列配合物较铽系列配合物的发光强度更强, 中性配体phen、dpq传递能量的能力强于dppz。几种配合物的发光寿命测定结果表明铽配合物Tb(DBM)3phen的发光寿命较长, 发光强度强的Eu(DBM)3dpq配合物发光寿命长于发光强度弱的Eu(DBM)3dppz配合物。
氮杂菲 β-二酮 稀土配合物 荧光性能 azatriphenylenes β-diketone rare earth complexes fluorescence property 
发光学报
2011, 32(4): 325
作者单位
摘要
内蒙古大学 化学化工学院, 内蒙古 呼和浩特010021
分别以对溴苯甲酸和对碘苯甲酸为第一配体, 2,4,6-三吡啶基三嗪(TPTZ)为第二配体, 以铽为中心, La3+、Y3+、Gd3+为掺杂离子,合成了8种铽及其掺杂配合物, 对其进行了C、H、N元素分析及稀土络合滴定、紫外光谱、红外光谱和荧光光谱测定。推测配合物的组成为: Tb(P-BrBA)3(TPTZ)·2H2O和Tb(P-IBA)3-(TPTZ)·2H2O;铽掺杂稀土配合物为: Tb0.5Ln0.5(P-BrBA)3(TPTZ)·2H2O和Tb0.5Ln0.5(P-IBA)3(TPTZ)·2H2O (P-BrBA=对溴苯甲酸, P-IBA=对碘苯甲酸,Ln3+=La3+,Y3+,Gd3+)。摩尔电导率测试结果表明所有配合物均为非电解质。红外光谱测试结果表明, 卤代苯甲酸的羧基氧原子与稀土离子配位, 2,4,6-三吡啶基三嗪以主配位点上的3个氮原子与稀土离子成键。在上述铽配合物中, 对溴苯甲酸配合物的荧光强度高于对碘苯甲酸配合物;掺入荧光惰性稀土离子镧、钆及钇后, 发光强度均有不同程度的改变, 掺入镧可明显增强铽的发光强度, 钆可敏化铽的发光, 而钇的敏化作用则不明显。
对溴苯甲酸 对碘苯甲酸 6-三吡啶基三嗪 铽配合物 p-bromine-benzoic acid p-iodin-benzoic acid 2 2 4 4 6-tris-(2-pyridyl)-s-riazine terbium complexes 
发光学报
2011, 32(3): 220

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