鳞片石墨的水润湿性掣肘了其在耐火浇注料中的应用，用碳化物对石墨改性是解决该问题的较佳方法。针对碳化物改性石墨制备过程中成本高、规模化困难，合成机制不清楚等问题入手，本工作采用改进的熔盐屏蔽技术，在空气中制备了核壳型SiC@石墨粉体，研究了坯体封装工艺对熔盐隔离法合成核壳结构SiC@石墨粉的物相组成及显微形貌的影响。结果表明：以Si粉和鳞片石墨粉为原料，用熔盐封装和无盐封装隔离法合成的核壳结构SiC@C粉体具有较好的水润湿性、分散性和抗氧化性。SiC@C粉体是基于熔盐法的“模板机制”生成，主要由Si经熔盐液相层扩散至SiC层表面，即Si外扩散过程控制。

采用溶胶-凝胶旋涂法(Sol-Gel Spin-Coating Method)制备了Al掺杂量为3.00at%, N掺杂量分别为6.00at%, 7.00at%, 8.00at%和9.00at%的Al/N共掺杂TiO2薄膜样品。对样品测试的结果表明, 共掺杂样品依旧保留了TiO2的基本结构, 并且Al/N共掺杂样品的晶粒尺寸有不同程度的减小, 使样品表面得以修饰, 变得更加均匀、平整。共掺杂样品吸收边都出现了不同程度的红移, 在紫外光区以及可见光区的吸光性都有所增强。N掺杂量为7.00at%时, (101)衍射峰值最大, 峰型最尖锐, 所得到的TiO2薄膜的光学性能最好。共掺杂后的样品与本征TiO2相比带隙值都有所减小, 且最小值为2.873eV。以上结果表明Al/N共掺杂TiO2薄膜使其光学性能得到了改善。

以KMnO4和MnSO4·H2O为原料, 在常温常压和水热条件下制备新生态MnO2, 借助XRD、TEM、低温N2吸附-脱附等手段对材料进行表征, 比较不同制备方法对产物结构和吸附性能的影响。结果表明, 反应温度和压力对新生态MnO2的形貌和吸附性能有较大影响, 常温常压下合成产物均为短棒状, 水热合成产物为介孔纤维, 对2,4-二硝基苯酚的吸附效果优于常温常压合成产物。新生态MnO2对2,4-二硝基苯酚的等温吸附和吸附动力学分别符合Langmuir等温式(R2>0.99)和准二级吸附动力学方程(R2>0.99), 说明2,4-二硝基苯酚在新生态MnO2上为单分子层吸附和化学吸附。溶液pH值能显著影响2,4-二硝基苯酚在新生态MnO2上的吸附, 在pH=7时最大吸附量为2.539 mg/g。

室温下采用射频磁控溅射(RFMS)技术在玻璃与硅基板上分别沉积了纯铌酸锂LN薄膜、高掺锌(6%,摩尔分数，下同)LN∶ZnO薄膜和高掺镁(5%)LN∶MgO薄膜，并在575 ℃条件下退火进一步提高薄膜的结晶度。通过原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)、紫外可见吸收(UV-Vis)和椭偏仪等测试研究了三种铌酸锂薄膜的形貌、结构和光学性质。XRD分析表明掺杂铌酸锂薄膜和纯铌酸锂薄膜具有相同的生长取向，AFM、XRD、UV-Vis测试结果表明，掺杂将增大铌酸锂薄膜的晶粒尺寸，光学带隙的红移现象与晶粒尺寸相关，且掺Mg的影响大于掺Zn。此外利用霍尔效应测试仪研究了LN、LN∶ZnO和LN∶MgO薄膜的电学性质，测试结果表明三种薄膜均为n型半导体，其中LN∶MgO薄膜电导率的变化趋势不同于LN∶ZnO和LN薄膜，且发现温度在18~50 ℃范围内，随着温度的升高，LN∶MgO薄膜的电导率变化微小，而LN∶ZnO和LN薄膜的电导率逐渐增大。

应用PCR-RFLP方法分析31例唐氏综合征(Down’s syndrome, DS) 患儿母亲和68例正常生育女性叶酸代谢相关基因: MTHFR 677C>T、MTRR 66A>G和MTR 2756A>G多态性, 探讨其与DS发生的关系。采用Pearson χ2 检验基因和基因型频率分布, 并分析各基因之间的相互作用, 计算比值比评价相对危险度。MTHFR基因T等位基因频率在病例组和对照组间具有显著性差异(P<0.05), 而MTRR和MTR基因G等位基因频率差异无显著性。MTHFR TT基因型母亲生育DS患儿风险显著增加(OR=3.51, 95 %CI=1.04-11.85, P<0.05)。MTRR GG基因型母亲生育DS患儿的风险增加3.57倍(OR=3.57, 95 %CI=1.19-10.73, P<0.05)。MTR突变基因型与DS的发生风险无显著关系。MTHFR (CT+TT)/MTRR GG、MTHFR (CT+TT)/MTR AA和MTRR GG/MTR AA联合基因型与DS发生风险显著相关。结果表明, MTHFR 677C>T、MTRR 66A>G位点变异是孕育DS患儿的独立风险因子, 尚不能认为MTR 2756A>G多态与DS发生相关。基因与基因多态位点之间存在交互和修饰效应。

在制作场发射显示器(FED)下基板的工艺过程中,设计了两种方案来制作下基板的阴栅极,用扫描电镜观察所得样品的横截面,并计算出各结构尺寸,分析阴栅极易形成短路的原因。优选出其中一种方案作为介质耐压试验的工艺方法,测试介质在中性溶液中浸泡不同时间后的耐压曲线,并分析击穿电压降低的原因。

研究了不同注入电流、不同输出偏振度下，半导体光纤环形激光器输出光的混沌特性.分别采用时域观察法、C-C法、Wigner-ville分布时频分析法、最大Lyapunov指数法联合分析输出光的时域、频域统计特性.从而将激光器输出按偏振度划分为三类：偏振度在0%到20%，随着电流的增大，激光器输出偏振混沌激光，其类型发生阶跃性跳变;偏振度在30~80%，激光器输出仍以偏振混沌激光为主，其类型不随电流增大而发生跳变;偏振度趋于90~100%，激光器输出以强度混沌激光为主，偏振混沌光随着偏振度趋向100%而下降为零.利用虚假邻点法计算嵌入维数和回归图法重构吸引子，得到上述三种输出类型的复杂程度依次是：椭圆吸引子（6维）、方形吸引子（7维）、点形吸引子（5维）.由此得出，半导体光纤环形激光器用于偏振混沌通信的最佳区域为：偏振度处于30%至80%,注入电流处于330 mA~550 mA.

仿真并分析了基于半导体光放大器全光偏振调制的双信道光传输系统模型.该系统分别利用两级半导体光放大器的交叉偏振调制效应(XPolM)，将两路独立的强度调制的抽运光变换到一路探测光的两个正交的偏振态上，实现双通道偏振复用的全光数据传输.首先对单个半导体光放大器的动力学过程进行了理论分析，数值计算了具有不同抽运光功率的半导体光放大器对探测光偏振态的影响，进而对双半导体光放大器偏振复用系统的调制/解调原理进行了分析，模拟仿真了双半导体光放大器的双通路偏振复用的调制及解调过程，仿真结果与实验结果相符.