短相干激光光源在进行高精度的干涉测量时，可以消除被测光学元件前后表面反射形成的杂散光，是低相干干涉仪的理想光源。针对低相干干涉应用对光源的需求，依据速率方程和激光调制特性对射频调制下的短相干半导体激光器光谱特性进行了理论研究。搭建了短相干光源系统，研究了半导体激光器斜率效率 $ \eta $、偏置电流 $ {I_b} $、射频信号频率 $ {f_m} $和幅度 $ {A_m} $对其相干长度的影响。实验结果表明，斜率效率大的半导体激光器更有助于短相干特性的实现，随着调制信号频率和幅值增加，工作在阈值附近的激光器相干长度随之降低，该系统在 $ {I_b} = 1.3{I_{th}} $、 $ {f_m} = {\text{950\;MHz}} $、 $ {A_m} = {\text{19\;dBm}} $的条件下获得了相干长度为90 $ {\text{μm}} $的短相干光源。并成功应用于斐索干涉仪上，获得了对比度 $ K = 0.931\;8 $的清晰干涉图像，与现有短相干光源相比，对比度提高了约51.1%，实现了对平行平板玻璃面形的测量。

传统的干涉仪采用激光光源，由于激光的高相干性，在平行平板、棱镜等特殊光学元件测量时存在严重的串扰；LED、钨灯等光源因准直性较差、光强稳定性差和相干长度较短等特征，同样不适合作为特殊光学元件检测干涉仪的光源。短相干激光光源具有方向性好、亮度高和相干长度适中等优点，是特殊元件检测干涉仪的理想光源。针对短相干干涉仪对光源的需求，对通过电流调制半导体激光器光源的相干性进行了理论研究。研究结果表明，调制频率越高、调制强度越大，光源的相干长度越短；偏置电流越大，输出功率越高，相干性也会变好，不利于产生短相干光源。在此基础上，搭建并研制了一款短相干激光光源，该光源相干长度为80 μm，光源的旁瓣抑制比下降为0.31，输出光功率可达30 mW，能够满足短相干测量对光源的要求。