Author Affiliations
Abstract
1 School of Physics and Optoelectronics and Hunan Institute of Advanced Sensing and Information Technology, Xiangtan University, Xiangtan 411105, China
2 College of Physics and Technology & Guangxi Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology, Guangxi Normal University, Guilin 541004, China
3 Department of Electronic and Electrical Engineering, University of Sheffield, Sheffield S10 2TN, UK
4 National Laboratory of Solid State Microstructures, Nanjing University, Nanjing 210093, China
Palladium (Pd)-based sulfides have triggered extensive interest due to their unique properties and potential applications in the fields of electronics and optoelectronics. However, the synthesis of large-scale uniform PdS and PdS2 nanofilms (NFs) remains an enormous challenge. In this work, 2-inch wafer-scale PdS and PdS2 NFs with excellent stability can be controllably prepared via chemical vapor deposition combined with electron beam evaporation technique. The thickness of the pre-deposited Pd film and the sulfurization temperature are critical for the precise synthesis of PdS and PdS2 NFs. A corresponding growth mechanism has been proposed based on our experimental results and Gibbs free energy calculations. The electrical transport properties of PdS and PdS2 NFs were explored by conductive atomic force microscopy. Our findings have achieved the controllable growth of PdS and PdS2 NFs, which may provide a pathway to facilitate PdS and PdS2 based applications for next-generation high performance optoelectronic devices.
PdS PdS2 nanofilms controllable growth chemical vapor deposition electron beam evaporation Journal of Semiconductors
2023, 44(12): 122001
1 上海理工大学光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
2 教育部光学仪器与系统工程研究中心, 上海市现代光学系统重点实验室, 上海 200093
本文通过电子束蒸发技术制备了金属锡掺杂浓度不同的一系列ITO薄膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外-可见光-近红外分光光度计、四探针测电阻仪和Z扫描系统分别对ITO薄膜的物相结构、微观形貌、光学吸收、方块电阻和非线性光学性能进行测试和表征。结果表明, 随着金属锡掺杂浓度由10%增加到30%: ITO薄膜的结晶质量增加; 薄膜表面粗糙度增加, 晶粒尺寸逐渐增大; 等离子体吸收增强, 且吸收峰的位置发生红移, 光学带隙变窄; 薄膜的方块电阻不断减小; 非线性吸收系数逐渐增加, 绝对值最大可以增至2.59×10-7 cm/W。时域有限差分拟合结果表明金属锡掺杂浓度不同的ITO薄膜电场强度变化规律与实验结果相一致。
氧化铟锡 局部表面等离子体共振 非线性光学响应 Z扫描 增强电场 掺杂 电子束蒸发 ITO LSPR nonlinear optical response Z-scan enhanced electric field doping electron beam evaporation
1 有研国晶辉新材料有限公司北京有色金属研究总院, 北京 100088
2 天津津航技术物理研究所 天津市薄膜光学重点实验室, 天津 300308
3 西北工业大学, 陕西 西安 710129
为了有效抑制4.3 μm CO2辐射对3 μm~5 μm中波红外目标信号的干扰,基于Needle随机插层优化算法,采用电子束蒸发方法,建立了石英晶振监控方式下多层超厚Ge/Al2O3薄膜生长误差的精确反演修正模型,实现了中波红外陷波滤光片的设计、精确反演与制备;同时,针对中波红外陷波滤光片存在的面型变化大的问题,采用预置基底面型方法,实现了中波红外陷波滤光片低面型调控。研究结果表明:随着镀膜时间的增加,高折射率Ge膜具有较好的生长稳定性,而低折射率Al2O3薄膜材料沉积比例因子变化高达11.9%,且呈规律性渐变趋势;所制备的中波红外陷波滤光片在4.2 μm~4.5 μm波段区间平均截止透过率小于0.3%;3.5 μm~4.05 μm及4.7 μm~5.0 μm波段的平均透过率大于95%,镀膜后的面型被有效控制在较小范围;膜层具有较好的复杂环境适应性,成功通过了GJB 2485-95中牢固性、高温、低温、湿热等环境试验考核。
电子束蒸发法 石英晶振监控法 红外滤光片 薄膜 反演修正 electron beam evaporation quartz crystal deposition monitor infrared filter thin film inversion correction
1 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春 130022
2 北京雷生强式科技有限责任公司,北京 100015
采用等离子体辅助电子束镀膜法制备了钛酸镧(H4)薄膜,研究了基底温度和离子束流密度等工艺条件及高温退火和等离子体后处理技术对H4薄膜的光学特性和表面形貌的影响。实验发现,适当地提高基底温度和离子束流密度可以提高薄膜折射率和薄膜质量。在基底温度为175 ℃,离子束流密度为120 μA/cm2时,薄膜折射率最高为2.70,且退火和等离子体后处理技术可进一步使薄膜质量得到改善。将优化的工艺参数用于980 nm高反射膜的镀制,并与采用Ta2O5、TiO2作为高反射率材料的高反膜进行了比较,在600 MW/cm2的激光作用下,H4高反膜系的抗激光损伤特性最优。
薄膜 离子束辅助电子束镀膜 钛酸镧(H4) 腔面膜 折射率 激光与光电子学进展
2022, 59(19): 1931001
1 中国科学院上海光学精密机械研究所薄膜光学实验室, 上海201800
2 中国科学院大学材料科学与光电技术学院, 北京100049
3 国科大杭州高等研究院, 浙江 杭州310024
激光技术的不断发展对激光薄膜的光学性能、激光损伤阈值、机械性能等提出了越来越高的要求。具有低吸收损耗的激光薄膜在强激光、精密测量等领域有十分重要的应用。从电子束蒸发和离子束溅射沉积工艺、薄膜材料两个方面,对激光薄膜在吸收损耗控制方面的研究进展进行综述,详细介绍了制备过程中多个环节对薄膜吸收损耗的调控方法,以及单一材料和混合物薄膜的吸收机理、吸收调控方法。
薄膜 吸收损耗 混合材料 电子束蒸发 离子束溅射
1 厦门大学 电子科学与技术学院(国家示范性微电子学院),厦门 福建 361000
2 瑞之路(厦门)眼镜科技有限公司,厦门 福建 361000
为了减少短波蓝光对人眼的伤害,同时确保蓝光对人体节律的有益调节,精确控制400~500 nm的透射斜率在蓝光防护中尤为重要。本文提出非线性玻尔兹曼函数拟合长波通薄膜的方法,分别通过非线性及线性光谱目标值优化得到膜系结构(Z1)和(Z2)。通过对比(Z1)和(Z2)薄膜的光谱和导纳图,分析可知经非线性目标值优化后的薄膜具有可控的斜率和更好的通带光谱性能。采用电子束蒸发离子束辅助沉积方法制备了14层蓝光防护薄膜,其光谱性能满足新国标GB/T38120—2019的技术要求。结果表明,所制备的单面光学多层薄膜在紫外385~415 nm的平均透过率小于3.2%,高能蓝光415~445 nm的平均透过率小于30.88%,有益蓝光445~475 nm的透过率大于81.9%,在剩余可见光波段的透过率大于95.5%。该方法为蓝光防护提供了一个新的解决方案,对于视觉防护、移动终端、眼镜、电脑桌面、移动数字屏幕等有潜在应用价值。
防护薄膜 电子束蒸发 蓝光防护 protective thin films electron beam evaporation blue-blocking protection
对公转结构电子束蒸发镀膜机的膜厚误差进行研究。提出一种基于非余弦膜厚分布理论的膜厚误差分析方法,并用数学方法对膜厚误差的分布进行表征。膜厚误差是基板表面位置的函数,不仅与镀膜工艺参数有关,还与蒸发源和基板之间的空间结构配置有关。理论分析表明,电子束蒸发源偏离工件盘公转轴,是引起膜厚误差的根本原因。在直径为2700 mm的镀膜机上镀制了三层介质膜,利用光谱反演膜厚误差,其结果与膜厚误差分布理论分析结果一致。
薄膜 光学薄膜 电子束蒸发 镀膜机设计 膜厚误差 激光与光电子学进展
2021, 58(11): 1131001