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 基于SiO2薄膜的915 nm半导体激光器的无杂质空位诱导量子阱混合研究

王鑫 赵懿昊 朱凌妮 侯继达 马骁宇 刘素平

[摘要]为了提高915 nm半导体激光器腔面抗光学灾变的能力, 采用基于SiO2薄膜无杂质诱导量子阱混合法制备符合915 nm半导体激光器AlGaInAs单量子阱的非吸收窗口.研究了无杂质空位诱导量子阱混合理论及不同退火温度、不同退火时...

 PDF全文光子学报 | 2018, 47(03):0314003

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