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 蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究

李金伦 崔少辉 张 静 张振伟 张博文 倪海桥 牛智川

[摘要]采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天...

 PDF全文红外与激光工程 | 2019, 48(09):0919001

 2 μm GaSb基大功率半导体激光器研究进展

谢圣文 杨成奥 黄书山 袁 野 邵福会 张 一 尚金铭 张 宇 徐应强 倪海桥 牛智川

[摘要]2 μm波段GaSb基大功率激光器在诸多领域具有广阔的应用前景,如气体探测、医疗美容、激光加工等。基于功率提升, 综述和讨论了2 μm波段GaSb基激光器结构的发展过程, 介绍了目前国内外的研究状况, 讨论和分析了GaSb基激...

 PDF全文红外与激光工程 | 2018, 47(05):0503003

 3~4 μm锑化物带间级联激光器研究进展(特邀)

张 一 张 宇 杨成奥 谢圣文 邵福会 尚金铭 黄书山 袁 野 徐应强 倪海桥 牛智川

[摘要]3~4 μm波段中红外激光器在工业气体检测、医学医疗和自由空间光通信等诸多领域具有十分重要的应用。目前锑化物半导体带间级联激光器是实现中红外3~4 μm波段的理想方案。带间级联激光器(Interband Cascade Laser,ICL...

 PDF全文红外与激光工程 | 2018, 47(10):1003003

 镀膜对2.0 μm锑化物激光器性能的提升

黄书山 张宇 杨成奥 谢圣文 徐应强 倪海桥 牛智川

[摘要]基于InGaSb/AlGaAsSb材料体系, 制备出了一款高性能的镀膜激光器。为了性能对比, 同时制备了未镀膜激光器。未镀膜的器件在注入电流为3.0 A时, 室温连续模式下的输出功率达到300 mW, 最大插头效率为 8.3%。镀膜器件在注...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(09):0901005

 蝶形天线增强的共振隧穿二极管太赫兹探测器研究

李金伦 崔少辉 张振伟 倪海桥 牛智川

[摘要]采用分子束外延技术制备了基于共振隧穿二极管的探测器样品。为提高探测响应度,探测器采用蝶形天线增强太赫兹电场强度,并以0.2 THz入射频率为参考对天线结构进行设计。测试采用输出功率为20 mW的太赫兹源,室温下在...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(08):0814002

 InAs/AlSb 异质结的Pd/Ti/Pt/Au 合金化欧姆接触

张静 吕红亮 倪海桥 牛智川 张义门 张玉明

[摘要]为了得到较低的接触电阻, 研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb 异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275 °C和20 s时, InAs/AlSb 异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2018, 37(06):679

 HEMT太赫兹探测器的二维电子气特性分析

李金伦 崔少辉 徐建星 袁野 苏向斌 倪海桥 牛智川

[摘要]采用分子束外延技术(MBE)对GaAs/AlxGa1-xAs二维电子气(2DEG)样品进行了制备, 样品制备过程中, 通过改变Al的组分含量、隔离层厚度、对比体掺杂与δ掺杂两种方式, 在300 K条件下对制备的样品进行了霍尔测试, 获得了室温...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(06):790

 片上太赫兹天线集成器件LT-GaAs外延转移工艺

郭春妍 徐建星 彭红玲 倪海桥 汪韬 田进寿 牛智川 吴朝新 左剑 张存林

[摘要]提供了一种实现片上太赫兹天线集成器件光电导开关材料低温GaAs(LT-GaAs)外延层的转移工艺, 使用HNO3-NH4OH-H2O-C3H8O7·H2O溶液-H2O2-HCl腐蚀体系化学湿法腐蚀分子束外延(MBE)生长的外延材料, Hall测试表明MBE生...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2017, 36(02):220

 共振隧穿二极管近红外探测器的电流抑制方法研究

裴康明 詹锋 倪海桥 董宇 牛智川

[摘要]针对共振隧穿二极管近红外探测器焦平面阵列本征电流较大的问题,提出了一种通过对共振隧穿二极管近红外探测器双势垒结构(DBS)进行p 型掺杂来抑制电流的方法,并用有限元软件对探测器进行了模拟。研究了单势垒p 型掺杂...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2016, 53(02):020402

 大功率高效率2μm锑化镓基量子阱激光器

廖永平 张宇 杨成奥 黄书山 柴小力 王国伟 徐应强 倪海桥 牛智川

[摘要]通过MBE外延系统生长了2 μm GaSb基AlGaAsSb/InGaSb I型量子阱激光器, 并制备了宽面条形波导激光器件, 在20℃工作温度下, 器件最大连续激射功率达到1.058 W, 当注入电流为0.5 A时, 峰值波长为1977μm, 最大能量转换...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2016, 35(06):672

 低暗电流InGaAs-MSM光电探测器

闫欣 汪韬 尹飞 倪海桥 牛智川 辛丽伟 田进寿

[摘要]MSM(金属-半导体-金属)型光电探测器的较低寄生电容和高带宽的特点使得其应用广泛,可用于空间通信、遥感等多方面,但暗电流偏大仍是制约其发展的重要因素.为此,本文研制了100×100 μm2 面积的InGaAs-MSM光电探测器...

 PDF全文光子学报 | 2015, 44(06):0604002

 共振隧穿弱光探测器的分子束外延生长条件优化

董宇 王广龙 倪海桥 陈建辉 乔中涛 裴康明 李宝晨 牛智川

[摘要]对一种共振隧穿弱光探测器的分子束外延生长条件进行了研究。对探测器结构进行设计,研究了不同Al束流和不同生长温度下In0.52Al0.48As 材料的生长质量,结合X 射线衍射及原子力显微镜测试结果确定了In0.52Al0.48As 材...

 PDF全文中国激光 | 2015, 42(08):0817001

 半导体锁模激光器的最新研究进展

王火雷 孔亮 潘教青 徐天鸿 计伟 倪海桥 崔碧峰 丁颖

[摘要]超短脉冲激光源在光纤通信、生物医学成像等方面具有重要的应用前景。半导体锁模激光器具有体积小、重量轻、效率高、价格便宜等一系列优点。因此半导体锁模激光器成为超短脉冲激光源的理想选择。通过对400 nm~2 μm范...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2013, 50(05):050001

 1.55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器

韩勤 彭红玲 杜云 倪海桥 赵欢 牛智川 吴荣汉

[摘要]利用低温(200℃)生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1.55μm谐振腔增强型(RCE)光电探测器,对其光电特性进行了分析、研究.无光照0偏压下探测器暗电流为8.0×10-12A;光电流谱峰值波长1563nm;响应谱线半宽...

 PDF全文光子学报 | 2006, 35(04):0549-551

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