首页 > 论文 > 标签

Hi,您目前在 全部期刊 '刘诗嘉', 共找到 6个内容。

   将选定结果: 

 感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性

乔辉 刘诗嘉 刘向阳 朱龙源 兰添翼 赵水平 王妮丽 李向阳

[摘要]利用光刻胶作刻蚀掩模对半导体样品进行感应耦合等离子体干法刻蚀时发现光刻胶掩模在刻蚀后表面出现凸起和孔洞等异常现象, 等离子体会透过部分孔洞对样品表面产生刻蚀损伤。利用探针式表面轮廓仪和激光共聚焦显微镜对...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(01):59

 离子束刻蚀碲镉汞的沟槽深宽比改进

贾 嘉 刘诗嘉 刘向阳 孙 艳 李向阳

[摘要]高深宽比离子束刻蚀技术是实现碲镉汞红外焦平面探测器的关键工艺技术.国内应用最广泛的双栅考夫曼刻蚀机束散角较大, 沟槽深宽比较低.针对Ar离子束刻蚀机, 尝试了三种提高深宽比的方法: 选择不同的光刻胶做掩模、改变...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2015, 34(03):282

 干湿结合法在CdZnTe衬底上制备折射型红外微透镜的研究

徐鹏霄 乔辉 王仍 刘诗嘉 曾巧玉 张可锋 李向阳

[摘要]针对现有微透镜加工方法难以在红外探测器衬底材料CdZnTe上实现大孔径、深浮雕微透镜制备, 提出了一种利用ICP-RIE干法刻蚀结合化学湿法腐蚀制备折射微透镜的方法, 通过采用多次光刻套刻后分别对CdZnTe材料进行高刻蚀速...

 PDF全文半导体光电 | 2014, 35(06):1022

 长波碲镉汞材料阳极氧化膜/ZnS界面的电学特性参数

王妮丽 刘诗嘉 兰添翼 赵水平 李向阳

[摘要]通过碲镉汞阳极氧化膜和磁控溅射ZnS膜, 结合HgCdTe器件工艺, 成功制备了以阳极氧化膜和磁控溅射ZnS双层钝化膜为绝缘层的“长波弱P”型HgCdTe MIS器件.通过对器件的C-V特性实验分析, 获得了长波HgCdTe材料的阳极氧化膜...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2013, 32(02):132-135

 平面型GaN p-n结探测器的制备与性能

包西昌 张文静 刘诗嘉 李超 李向阳

[摘要]采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了pGaN单晶薄膜.高温(>1100℃)处理及未处理样品的双晶摇摆曲线测试表明高于1150℃会使材料的晶体质量明显变差,这为平面型紫外探测器制备中的部分注入...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2011, 30(03):246-249

 "神舟3号"上生长Cd1-xZnxTe晶片Zn组分分布的显微荧光研究

刘劼 李志锋 沈杰 林杏朝 刘诗嘉 龚海梅

[摘要]用显微荧光(μ-PL)方法对在我国"神舟3号"上空间生长的CdznTe晶片中zn组分分布的研究.对晶片的单晶"壳"区及未完全熔化的"芯"区中的小结晶区域进行了逐点PL测量.对测得每一点的PL谱进行...

 PDF全文量子电子学报 | 2005, 22(02):238-242

首页上一页1下一页尾页