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   将选定结果: 

 工业级纳米绒面多晶硅太阳电池的制备及其性能研究

邱小永 赵庆国 陆波 何一峰 李小飞 张帅 吕文辉

[摘要]基于产线工艺制备了纳米绒面多晶硅太阳电池, 并表征其光电转换性能。研究结果表明: 相对传统微米绒坑, 纳米绒面能够提升多晶硅太阳电池的短路电流, 相应的光电转换效率绝对值提升大于0.4%, 产线均值光电转换效率超过...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(06):777

 双层氮化硅减反、钝化结构对多晶硅太阳电池性能的影响

吕文辉 何一峰 龚熠 陆波

[摘要]探究了多晶硅太阳电池表面双层氮化硅减反、钝化结构的产线工艺。示范性实验结果表明, 直接与多晶硅接触的底层氮化硅的厚度是双层氮化硅减反、钝化能力的一个关键因素。相对于单层氮化硅减反、钝化的多晶硅太阳电池, ...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(05):707

 金属援助硅化学刻蚀法可控制备硅纳米线阵列

吕文辉 张帅

[摘要]基于金属援助硅化学刻蚀机理,成功地发展了一种形貌可控地制备硅纳米线阵列的有效方法。在该方法中,通过银纳米颗粒催化层的微结构和硅化学刻蚀的时间来调控硅纳米线阵列的形貌。扫描电子显微镜(SEM)形貌表征的实验结...

 PDF全文半导体光电 | 2011, 32(03):363-365

 图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能

吕文辉 张帅

[摘要]结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极, 研究了其场发射性能。扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向, 形成图形化。场发射测试与分析表明,该阴极能...

 PDF全文液晶与显示 | 2011, 26(04):486-489

 热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性

曹连振 蒋红 宋航 李志明 赵海峰 吕文辉 刘霞 郭万国 阎大伟 孙晓娟 缪国庆

[摘要]采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征。研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化...

 PDF全文液晶与显示 | 2009, 24(01):43-47

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