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 量子随机数高斯噪声信号发生器

余恒炜 孙晓娟 王星辰 蒋 科 吴 忧 程东碧 石芝铭 贾玉萍 黎大兵

[摘要]现有的高斯噪声信号发生器都是采用数学计算的方式生成随机数的, 这种方式不能实现真正的随机信号, 与实际噪声信号不符。本文提出基于量子随机数的高斯噪声信号发生器, 通过单光子探测器对选择路径的光子信号的探测作...

 PDF全文光学 精密工程 | 2019, 27(07):1492

 两种蒽衍生物类深蓝光材料的合成与发光性能

王志强 孙晓娟 绪连彩 张智强

[摘要]利用Suzuki偶合反应合成了两种新的蒽衍生物9,10-二(2-联苯基)蒽(BBPA)和9,10-二[2-(α-萘基)苯基]蒽(BNPA), 化合物结构通过核磁、质谱及元素分析进行了表征。量子化学计算结果显示, 这两种化合物都具有非共面的分子...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(12):1451

 SiO2纳米颗粒对a-AlGaN金属-半导体-金属结构紫外探测器的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]采用对a-AlGaN表面沉积SiO2纳米颗粒制备工艺得到了金属-半导体-金属(MSM)结构的a-AlGaN紫外探测器。与没有沉积SiO2纳米颗粒的探测器件相比, 沉积SiO2纳米颗粒使器件的暗电流下降了一个数量级, 峰值光谱响应度提高了近...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(08):879-882

 氮化铝薄膜的硅热扩散掺杂研究

王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 陈一仁 孙晓娟

[摘要]采用热扩散方法, 对AlN薄膜进行了Si掺杂。利用电子能量散射谱(EDS)以及高温变温电导对薄膜进行了分析。EDS测试结果表明:在1 250 ℃的温度下, 氮化硅(SiNx)作为Si的扩散源, 可以实现对AlN薄膜的Si热扩散掺杂。高温电...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(07):768-773

 初始化生长条件对a-GaN中应变的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]利用高分辨X射线衍射(HRXRD)与拉曼散射光谱(Raman scattering spectra)研究了氮化处理与低温AlN缓冲层对低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)在r面蓝宝石衬底上外延的a面GaN薄膜中的残余应变的影响。实验结果表明: 与...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(06):581-585

 AlN插入层对aAlGaN的外延生长的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋 航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]采用有机金属化学气相沉积(MOCVD)在r面蓝宝石衬底上生长aAlGaN外延膜,研究了AlN插入层对aAlGaN外延膜的应力和光学性质的影响。根据高分辨X射线衍射(HRXRD)技术和扫描电子显微镜(SEM)我们可以得到,AlN插入层有效...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(05):519-524

 直流反应磁控溅射在氮化的蓝宝石衬底上制备AlN薄膜

王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 孙晓娟 陈一仁 贾辉

[摘要]通过直流磁控反应溅射装置,在蓝宝石(0001)衬底和氮化的蓝宝石(0001)衬底上成功制备了氮化铝(AIN)薄膜。利用X射线衍射仪、原子力学显微镜和双光束扫描分光计,研究了蓝宝石氮化对AIN薄膜结构、应力、晶粒尺寸、形貌和...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(02):227-232

 GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响

王新建 宋航 黎大兵 蒋红 李志明 缪国庆 陈一仁 孙晓娟

[摘要]通过直流磁控反应溅射制备了氮化铝(AlN)薄膜, 研究了沉积条件与氮化镓(GaN)缓冲层对薄膜质量的影响。利用X-射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)表征了AlN薄膜的晶体结构和表面形貌。XRD研究结果表明, 低工作压强、短靶距...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(10):1089-1094

 GaN基MIS紫外探测器的电学及光电特性

尤坤 宋航 黎大兵 刘洪波 李志明 陈一仁 蒋红 孙晓娟 缪国庆

[摘要]制备了GaN基金属-绝缘层-半导体(MIS)结构紫外探测器,并测量了其暗电流和光谱响应。通过分析其暗电流,发现在反偏情况下,其主要电流输运机制为隧穿复合机制;在正偏情况下,随着偏压的增大,电流输运机制从隧穿机制...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(01):55-61

 预通三甲基铝对AlN薄膜的结构与应变的影响

贾辉 陈一仁 孙晓娟 黎大兵 宋航 蒋红 缪国庆 李志明

[摘要]采用有机金属化学气相沉积设备用两步生长法在(0001)蓝宝石衬底上制备AlN薄膜。研究了预通三甲基铝(TMAl)使衬底铝化对外延AlN的影响。利用高分辨X射线衍射(XRD)技术和扫描电子显微镜(SEM) 分析了样品的结晶质量以及外...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(01):82-87

 多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性

竹敏 宋航 蒋红 缪国庆 黎大兵 李志明 孙晓娟 陈一仁

[摘要]通过对多层GaSb量子点的生长研究, 发现随着生长层数的增加, 量子点尺寸逐渐变大, 密度没有明显变化, 并且量子点出现了聚集现象;当层数增加到一定数量、量子点聚集到一定大小时, 聚集的量子点处会出现空洞。这些现象表...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(06):859-863

 Si衬底上InP纳米线的晶体结构和光学性质

于淑珍 缪国庆 金亿鑫 张立功 宋航 蒋红 黎大兵 李志明 孙晓娟

[摘要]采用金属有机化学气相沉积技术, 利用自催化法, 在Si(100)、(111)衬底上成功生长了InP纳米线。利用扫描电镜观察样品表面, 在Si(100)、(111)衬底上生长的纳米线形貌相似, 纳米线面密度不同。利用X射线衍射和透射电镜研...

 PDF全文发光学报 | 2010, 31(05):767-772

 晶格失配对InAsxP1-x/InP发光特性的影响

阎大伟 宋航 缪国庆 于淑珍 蒋红 李志明 刘霞 曹连振 郭万国 孙晓娟

[摘要]采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)技术,在掺Fe的半绝缘InP衬底上制备了InAs0.157P0.843外延层。利用变温光致发光研究了InAs0.157P0.843外延层在13~300 K温度范围内的发光特性,通过理论分析与计算,证实了在应力...

 PDF全文发光学报 | 2009, 30(03):309-313

 利用折射光束校正的GRIN透镜阵列的高亮度准连续泵浦源

孙晓娟

[摘要]本文阐述了一种关于准直传导制冷的准连续二极管激光阵列技术,可以在紧凑坚固的封装中获得非常高的亮度。首先利用Doric GRIN柱面透镜校准快轴方向的激光条,此处每个透镜都用于修正每个激光条的总定位误差。然后利用一...

 PDF全文光机电信息 | 2009, 26(05):8-15

 用纳米印刷技术制备微机械和微流体金属光栅器件

孙晓娟

[摘要]纳米印刷技术是一种制备大面积亚波长光栅的新技术。基于此光栅的滤光器具有光谱的特性。利用波长耦合分析法对光栅进行理论模拟,此模拟允许反射率取最大和最小值;利用微电子机械系统(MEMS)制备微流体和微机械光栅,这些...

 PDF全文光机电信息 | 2009, 26(02):16-21

 热CVD法制备的碳纳米管线阵列的场发射特性

曹连振 蒋红 宋航 李志明 赵海峰 吕文辉 刘霞 郭万国 阎大伟 孙晓娟 缪国庆

[摘要]采用半导体光刻技术在硅衬底上获得图形化掩膜,然后用热化学气相淀积(T-CVD)的方法制备了图形化的碳纳米管线阵列,用扫描电镜和拉曼光谱仪对碳纳米管进行了表征。研究了图形化碳纳米管线阵列的场发射特性,并与无图形化...

 PDF全文液晶与显示 | 2009, 24(01):43-47

 应用于深紫外波段的AIGaN光电探测器研究

孙晓娟

[摘要]本文报道了肖特基二极管深紫外光电探测器的制备。此器件制作在GaN外延层上,其中外延层利用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)的方法生长在4in的Si(111)片上。利用光谱响应度测量法确定GaN的截止波长在近紫外波段(200~400...

 PDF全文光机电信息 | 2008, 25(12):0011-14

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