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   将选定结果: 

 高可靠性瓦级660 nm半导体激光器研制

朱振 张新 肖成峰 李沛旭 孙素娟 夏伟 徐现刚

[摘要]利用Zn扩散形成非吸收窗口的技术, 制备了大功率660 nm半导体激光器。在芯片窗口区用选择性扩Zn方式, 使得窗口区有源层发光波长蓝移了61 nm, 有效降低了腔面的光吸收。制备的激光器芯片有源区条宽为150 μm, 腔长为10...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(05):0501002

 808 nm连续输出13.6 W单芯片大功率激光器

李沛旭 殷方军 张成山 开北超 孙素娟 江建民 夏伟 徐现刚

[摘要]通过对大功率激光器腔面光学灾变损伤的研究, 分析了激光器腔面镀膜的损伤机理。为了提高激光器的输出功率, 采用TiO2替换Si作为高折射率材料, 建立非标准膜系降低电场强度, 同时优化膜层材料的粗糙度, 并采用离子源进...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(01):0101013

 电沉积法制备ZnO纳米柱及其机制研究

孙素娟 矫淑杰 高世勇 王东博 王金忠

[摘要]采用阴极还原方法,以Zn(NO3)2水溶液为电解液制备ZnO纳米柱。分析了不同沉积电位和不同沉积时间的缓冲层对ZnO纳米柱的密度、形貌及取向的影响。通过分析缓冲层在不同沉积时间下的电流密度变化,研究了缓冲层对ZnO纳米...

 PDF全文发光学报 | 2012, 33(02):128-134

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