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 界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响

韩 军 赵佳豪 赵 杰 邢艳辉 曹 旭 付 凯 宋 亮 邓旭光 张宝顺

[摘要]研究不同界面处理对AlGaN/GaN 金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N2和NH3等离子体对器件界面预处理, 实验结果表明,N2等离子体预处理能够减小器件的电流崩塌, 通过对N2等离子...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(07):915

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