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 图形化硅纳米线阵列场发射阴极的制备及其场发射性能

吕文辉 张帅

[摘要]结合光刻工艺和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备了图形化的硅纳米线阵列场发射阴极, 研究了其场发射性能。扫描电子显微镜照片显示,嵌入在硅衬底的硅纳米线阵列为垂直取向, 形成图形化。场发射测试与分析表明,该阴极能...

 PDF全文液晶与显示 | 2011, 26(04):486-489

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