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 p-GaN插入层调控InGaN基黄绿双波长LED发光光谱

魏铎垒 张建立 刘军林 王小兰 吴小明 郑畅达 江风益

[摘要]采用MOCVD技术在硅衬底上生长了含有7个黄光量子阱和1个绿光量子阱的混合有源区结构的InGaN基黄绿双波长LED外延材料, 研究了电子阻挡层前p-GaN插入层厚度对黄绿双波长LED载流子分布及外量子效率 (EQE) 的影响。通过LE...

 PDF全文发光学报 | 2020, 41(02):146

 集成Ag基反射镜的GaN基LED薄膜芯片的静电失效演变

刘时彪 王光绪 吴小明 莫春兰 张建立

[摘要]对集成Ag基反射镜的垂直结构GaN基发光二极管(LED)薄膜芯片施加ESD(electro-static discharge)冲击,观察其静电失效的现象并对失效演变的过程进行研究。结果表明,LED芯片经过ESD冲击后,内部会随机出现ESD黑点。随着ESD...

 PDF全文光学学报 | 2020, 40(10):1023001

 电子阻挡层Al组分对Si衬底GaN基黄光LED内量子效率的影响

胡耀文 高江东 全知觉 张建立 潘 拴 刘军林 江风益

[摘要]为了探究具有双层电子阻挡层设计的GaN基黄光LED中首层电子阻挡层(EBL-1)Al组分对内量子效率的影响以及其中载流子注入的主要物理机制, 首先使用硅衬底GaN基黄光LED外延与芯片工艺, 在外延过程中通过控制三甲基铝(T...

 PDF全文发光学报 | 2019, 40(09):1102

 量子阱生长气压对InGaN/GaN黄光LED光电性能的影响

邱岳 丁杰 张建立 莫春兰 王小兰 徐龙权 吴小明 王光绪 刘军林 江风益

[摘要]采用MOCVD技术在图形化硅衬底上生长了InGaN/GaN多量子阱黄光LED外延材料, 研究了不同的量子阱生长气压对黄光LED光电性能的影响。使用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)和荧光显微镜(FL)对晶体质量进行了表征, 使用电致发光...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(07):961

 氮化镓基绿光LED中V坑对空穴电流分布的影响

许 毅 吴庆丰 周圣军 潘 拴 吴小明 张建立 全知觉

[摘要]采用实验与理论模拟相结合的方法, 研究了氮化镓基绿光发光二极管(LED)中V坑对空穴电流分布的影响。首先, 实验获得了V坑面积占比不同的3种样品; 然后, 建立数值模型, 使得理论计算的外量子效率(EQE)及电压与实验测试的...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(05):674

 量子阱结构对含V形坑InGaN/GaN蓝光LED效率衰减的影响

吕全江 莫春兰 张建立 吴小明 刘军林 江风益

[摘要]使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了含V形坑的InGaN/GaN蓝光LED。通过改变生长温度, 生长了禁带宽度稍大的载流子限制阱和禁带宽度稍小的发光阱, 研究了两类量子阱组合对含V形坑InGaN/GaN基蓝光LED效率衰减的影响。使用高...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(07):923

 V形坑尺寸对硅衬底InGaN/AlGaN近紫外LED光电性能的影响

聂晓辉 王小兰 莫春兰 张建立 潘 拴 刘军林

[摘要]使用MOCVD在图形化Si衬底上生长了InGaN/AlGaN近紫外LED, 通过改变低温GaN插入层的厚度调控V形坑尺寸, 系统地研究了V形坑尺寸对InGaN/AlGaN近紫外LED(395 nm)光电性能的影响。结果表明, 低温GaN插入层促进了V形坑的...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(06):735

 InGaN/GaN 多量子阱LED载流子泄漏与温度关系研究

刘诗涛 王立 伍菲菲 杨祺 何沅丹 张建立 全知觉 黄海宾

[摘要]通过测量光电流,直接观察了InGaN/GaN量子阱中载流子的泄漏程度随温度升高的变化关系。当LED温度从300 K升高到360 K时,在相同的光照强度下,LED的光电流增大,说明在温度上升之后,载流子从量子阱中逃逸的数目更多,...

 PDF全文发光学报 | 2017, 38(01):63

 垒温对硅衬底GaN基蓝光LED发光效率的影响

高江东 刘军林 徐龙权 王光绪 丁杰 陶喜霞 张建立 潘拴 吴小明 莫春兰 王小兰 全知觉 郑畅达 方芳 江风益

[摘要]用MOCVD技术在硅衬底上生长了GaN基蓝光LED外延材料,研究了有源层多量子阱中垒的生长温度对发光效率的影响,获得了不同电流密度下外量子效率(EQE)随垒温的变化关系。结果表明,在860~915 ℃范围内,发光效率随着垒温...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(02):202

 Si(111)衬底切偏角对GaN基LED外延膜的影响

武芹 全知觉 王立 刘文 张建立 江风益

[摘要]利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在具有偏角(0°~0.9°)的Si(111)衬底上生长了GaN薄膜.采用高分辨X射线衍射(HRXRD)对Si衬底的偏角进行了精确的测量,利用HRXRD、原子力显微镜(AFM)以及光致发光(PL)对外延...

 PDF全文发光学报 | 2015, 36(04):466

 AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响

刘军林 熊传兵 程海英 张建立 毛清华 吴小明 全知觉 王小兰 王光绪 莫春兰 江风益

[摘要]利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2 inch (5.08 cm) Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层...

 PDF全文光学学报 | 2014, 34(02):0231003

 含氟苯乙炔类液晶的合成

韩耀华 王奎 张建立 李志强 张芳苗

[摘要]以3, 5-二氟溴苯为原料, 3, 5-二氟溴苯和2-甲基-3-丁炔-2-醇在四(三苯基膦)钯催化下合成4-(3, 5-二氟苯)2-甲基-3-丁炔-2-醇。4-(3, 5-二氟苯)2-甲基-3-丁炔-2-醇在KOH作用下生成3, 5-二氟苯乙炔。3, 5-二氟苯乙炔与碘...

 PDF全文液晶与显示 | 2013, 28(05):683-687

 多氟二苯乙炔类负性液晶化合物的合成

尚洪勇 张建立 刘鑫勤 韩耀华 梁晓

[摘要]以烷基环己基酮、1,2-二氟苯为起始原料(或以2,3-二氟烷基苯为起始原料),采用正丁基锂低温下制得金属锂化试剂,再经过系列反应制得4-烷基环己基-2,3-二氟碘苯(或4-烷基-2,3-二氟碘苯),其与4-乙氧基-2,3-二氟苯乙炔发生...

 PDF全文液晶与显示 | 2009, 24(05):650-655

 苯并噁唑类液晶的合成

张建立 尚洪勇 梁晓 刘鑫勤

[摘要]自主设计了苯并噁唑类液晶的合成路线。采用对烷基苯酚为起始原料,合成制得对烷基邻硝基苯酚,还原得到对烷基邻氨基苯酚,再与烷基苯氰在多聚磷酸脱水剂存在下合环得到2,5-取代苯并噁唑类液晶化合物,并在此基础上进一步...

 PDF全文液晶与显示 | 2009, 24(04):482-486

 TFT-LCD中聚酰亚胺取向剂用关键中间体4-BDAF的制备

张建立 尚洪勇 梁晓 刘鑫勤

[摘要]4-BDAF是制备聚酰亚胺取向剂材料的关键中间体之一。自主设计了易于国产化的、全新的4-BDAF工艺合成路线。采用六氟丙酮、苯酚为起始原料,选择甲基磺酸为催化脱水剂,经过三步反应,通过优化原料配比、反应时间、反应温度...

 PDF全文液晶与显示 | 2009, 24(03):345-349

 基于LMS算法的自适应控制在稳定回路中的应用

张建立 冯如鹏

[摘要]成像器稳定跟踪平台的稳定回路设计是一种高精度、高动态响应的伺服回路设计,为实现较好的控制特性,提出了一种基于LMS算法的Adaline网络参数自适应控制方法,根据被控对象的参数变化,实时调整控制器的参数,由于算法相对...

 PDF全文红外与激光工程 | 2006, 35(06):659-662

 红外成像器视线漂移的自适应补偿研究

张建立 冯如鹏

[摘要]成像器视线稳定回路设计是一种高精度、高动态响应的伺服回路设计,对于速率陀螺稳定方案,视线的漂移角处于开环状态,由于轴间摩擦耦合、几何约束耦合,以及速率陀螺传感器测量精度的影响,成像器视线在载体扰动的条件下会...

 PDF全文红外与激光工程 | 2006, 35(04):384-387

 基于速度估计的成像器稳定装置摩擦补偿

张羽飞 张建立 冯汝鹏

[摘要]针对成像器稳定装置中由于摩擦力距造成的跟踪误差这一问题,采用自适应滑模控制的方法对摩擦力矩进行有效补偿,并且提出了基于改进欧拉近似法从位置测量信号中获取速度信号的方法.通过在成像器稳定装置控制系统中的实际...

 PDF全文红外与激光工程 | 2004, 33(01):83-87

 基于模式识别的智能控制在伺服系统中的应用

张建立 冯汝鹏

[摘要]系统响应通常要求快速、准确、稳定,但传统的控制方法例如PID控制很难使系统达到这种最优控制,提出了基于模式识别的智能控制,通过在线辩识系统的动态输出,根据系统响应所处的状态,采取相应的控制策略,就能使系统得到较...

 PDF全文激光技术 | 2002, 26(02):138-140

 基于DSP的全数字航拍跟踪平台的系统设计

张建立 冯如鹏

[摘要]文中提出了一种基于数字信号处理器的全数字航拍跟踪平台伺服系统的设计.该系统充分利用了DSP周边接口丰富,运算速度快的特点,使所设计的系统结构紧凑,并通过仿人智能控制策略对系统进行控制.实验结果表明,系统结构简单...

 PDF全文红外与激光工程 | 2001, 30(06):442-446

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