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   将选定结果: 

 氮化硅的ECCP刻蚀特性研究

白金超 王静 赵磊 张益存 郭会斌 曲泓铭 宋勇志 张亮

[摘要]本文对氮化硅的增强电容耦合等离子刻蚀进行研究, 为氮化硅刻蚀工艺的优化提供参考。针对SF6+O2气体体系, 通过设计实验考察了功率、压强、气体比、氦气等对刻蚀速率和均一性的影响, 并对结果进行机理分析和讨论。实验...

 PDF全文液晶与显示 | 2017, 32(07):533

 垂直线不良分析与改善

张光明 白金超 曲泓铭 张益存 于 凯

[摘要]针对栅极绝缘层和栅极引线接触处形成过孔倒角造成的一种垂直线不良进行分析和改善。研究气相沉积、干法刻蚀和磁控溅射对过孔倒角的影响, 通过扫描电子显微镜对过孔形貌进行表征, 并用成盒检测设备检测不良发生情况。...

 PDF全文液晶与显示 | 2017, 32(05):352

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