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 ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响

操神送 杜云辰 朱龙源 兰添翼 赵水平 罗 毅 乔 辉

[摘要]研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响。发现增大气体压强会导致材料的电学性能衰退, 表现为材料的载流子浓度增加、迁移率降低以及电...

 PDF全文半导体光电 | 2017, 38(01):61

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