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 2 μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜的设计

谢检来 郝永芹 王志伟 王 霞 晏长岭 刘国军 马晓辉 李 杨 岳光礼 张 昕

[摘要]研究了一种2 μm波段GaSb基亚波长光栅反射镜,讨论了亚波长光栅的各参数对反射谱的影响。对于中心波长为2 μm的TM模式,反射镜具有大宽带和极高的反射率,反射带宽与中心波长之比大于26%(反射率大于99%),波长为1.89...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2017, 54(07):070501

 850 nm垂直腔面发射激光器结构优化与制备

冯 源 郝永芹 王宪涛 刘国军 晏长岭 张家斌 李再金 李 洋

[摘要]根据分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,优化量子阱(QW)和DBR结构,采用Crosslight 计算机模拟软件模拟了垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的反射谱和QW增益谱,确定QW组分、厚度以及DBR的对数。采用分子束外延技术外延...

 PDF全文中国激光 | 2017, 44(03):0301005

 单模垂直腔面发射激光器的研究动态

郝永芹 晏长岭 马晓辉 刘国军 冯源 李特 魏志鹏 姜会林

[摘要]垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低阈值电流、圆形光斑、高调制带宽、易于单纵模激射以及高密度二维光集成等优势。在实际应用中,单横模VCSEL是光通信、高速局域网、光互连等许多应用领域的理想光源。在分析VCSEL的结构...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2013, 50(10):100003

 网状电极大出光孔径VCSEL及其光电性能的研究

冯源 侯立峰 郝永芹 晏长岭 赵英杰 王玉霞 钟景昌

[摘要]加大出光孔径通常是提高VCSEL输出光功率的一条重要途径。但在大出光孔径的VCSEL中,电流注入不均又常常引起发射光强不均或不发光的现象,为解决此问题,提高VCSEL的输出功率,同时改善其热特性,研制了新型的网状电极...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2010, 8(08):773

 高功率垂直腔面发射激光器有效封装技术研究

晏长岭 路国光 秦莉

[摘要]采用湿法氧化制备工艺制备了高功率垂直腔面发射激光器,并通过银浆、In-Sn 合金和金刚石散热片三种封装方式对垂直腔面发射激光器进行了制备,实验中对三种不同封装制备的器件的光输出功率、发射波长漂移和热阻进行了...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2010, 8(06):595

 Temperature dependent characteristics of 980 nm two-dimensional bottom emitting VCSEL arrays

李特 宁永强 孙艳芳 崔锦江 秦莉 晏长岭 张岩 彭彪 刘光裕 刘云 王立军

[摘要]

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2007, 5(s1):156

 980 nm垂直外腔面发射激光器理论分析

单肖楠 路国光 何春凤 秦莉 晏长岭 王立军

[摘要]利用周期谐振增益结构设计了以InGaAs/GaAsP/AlGaAs为有源区的980 nm二极管抽运垂直外腔面发射半导体激光器的材料结构。根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等特征参量。优化了激光器特征参量...

 PDF全文中国激光 | 2006, 33(suppl):240-243

 垂直腔面发射激光器的结构生长及特性研究

李林 钟景昌 张永明 赵英杰 王勇 刘文莉 郝永琴 苏伟 晏长岭

[摘要]在偏〈111〉A 2°的GaAs (100) 衬底上生长了Al0.9Ga0.1As /Al0.2Ga0.8As周期结构的垂直腔面发射激光器(VCSEL)外延片.P 型DBR的周期数为24.5对,N型DBR的周期数为34.5对.用光荧光 (PL) 谱、扫描电子显微镜 (SEM)和...

 PDF全文光子学报 | 2005, 34(03):343-345

 980nm大功率垂直腔底发射激光器

金珍花 孙艳芳 宁永强 晏长岭 秦莉 刘云 套格套 王立军 崔大复 李惠青 许祖彦

[摘要]报道980nm大功率底发射垂直腔面发射激光器的结构、研制及器件的阈值电流、输出功率和光谱特性.在室温(24℃)下,5A连续电流工作时,出光孔径400μm的器件激射波长为984.1nm,输出功率达到1.42W,是目前所能见到报道中最高...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2005, 24(01):61-64

 高功率980 nm垂直外腔面发射激光器(VECSEL)的理论研究

何春凤 路国光 单肖楠 秦莉 晏长岭 宁永强 李特 孙艳芳 王立军

[摘要]利用周期谐振增益结构设计了以InGaAs/GaAsP/AlGaAs为有源区的980 nm二极管泵浦垂直外腔面发射半导体激光器.根据理论模型计算了纵模限制因子、阈值增益、光增益、输出功率等特征参数,优化了激光器特征参数并设计了OPS...

 PDF全文光学 精密工程 | 2005, 13(03):247-252

 高功率InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器的研制

晏长岭 宁永强 秦莉 张淑敏 赵路民 王青 刘云 初国强 王立军 姜会林

[摘要]采用AlAs氧化物限制工艺实验制备了衬底出光的高功率大出光窗口(直径为300 μm)InGaAs/GaAs量子阱垂直腔面发射半导体激光器,实现了器件室温准连续工作(脉冲宽度为50 μs,重复频率为1000 Hz),并对器件的伏安特性、光输...

 PDF全文光子学报 | 2004, 33(09):1029-1031

 980 nm高功率垂直腔面发射激光器

赵路民 王青 晏长岭 秦莉 刘云 宁永强 王立军

[摘要]研究了980 nm垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构设计和器件制作,实现了室温下的脉冲激射.在脉宽为50 μs,占空比为5:1000的脉冲电流下,直径400 μm的器件输出光功率最高可达380 mW,发散角小于10°,光谱的半高全宽为...

 PDF全文中国激光 | 2004, 31(02):142-144

 GaInAs/GaAs应变量子阱能带结构的计算

晏长岭 秦莉 宁永强 张淑敏 王青 赵路民 刘云 王立军 钟景昌

[摘要]讨论了GaInAs/GaAs应变量子阱结构的应变效应,给出了量子阱层的临界厚度随In组份的变化关系.由克龙尼克-潘纳模型计算了GaInAs/GaAs应变量子阱的量子化能级,给出了cl-hhl跃迁对应的发射波长随阱宽和In组份的变化关系曲...

 PDF全文激光杂志 | 2004, 25(05):29-31

 长波长GaInNAs垂直腔面发射激光器

晏长岭 秦莉 张淑敏 宁永强 王青 赵路民 刘云 王立军

[摘要]新出现的直接跃迁GaInNAs与具有高反射率的AlAs/GaAs分布布拉格反射镜相结合构成了GaAs基长波长(1.3~1.6μm)垂直腔面发射激光器(VCSEL),将成为光纤通信、光互联和光信息处理等的关键元件.本文从材料的选取、外延技术...

 PDF全文量子电子学报 | 2004, 21(05):565-570

 高功率底发射VCSELs的制作与特性研究

孙艳芳 金珍花 宁永强 秦莉 晏长岭 路国光 套格套 刘云 王立军 崔大复 李惠青 许祖彦

[摘要]研究制作了大面积底发射氧化限制面发射激光器, 并分析了器件特性.通过增加有源区面积, 改进制作工艺,采用Al2O3作钝化膜和多层复合HfO 2作增透膜等方法,提高了激光器输出功率.分析了最大输出功率与有源区直径和注入电...

 PDF全文光学 精密工程 | 2004, 12(05):449-453

 垂直腔面发射微腔激光器

赵路民 王青 宁永强 晏长岭 秦莉 王立军

[摘要]介绍垂直腔面发射激光器(VCSEL)的结构、特点、性能、应用以及最新进展,并对当前要解决的关键问题进行了论述.

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2003, 40(08):39-43

 列阵半导体激光器中热相互作用及改进技术的研究

晏长岭 费文伯 钟景昌 赵英杰 黎荣辉

[摘要]从半导体激光器产生的热量在热沉中的扩散入手,对列阵单元器件间的热相互作用进行了分析,提出了该过程是通过热流的扩散而发生作用的观点。通过这一分析获得了确定列阵器件中单元器件间距的理论依据。对二维列阵中上...

 PDF全文中国激光 | 2000, 27(05):390-396

 漏光波导机制四元系半导体激光器

晏长岭 钟景昌

[摘要]给出了漏光波导机制在四元系长波长半导体激光器中的一个应用实例。从理论上证明了漏光波导机制在四元系半导体材料中应用的可行性,并设计了相应结构的激光器件;然后由LPE技术获得这一器件。实践证明,理论和实验结果符...

 PDF全文中国激光 | 1999, 26(09):785-789

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