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 STI埋层的高光电流和低暗计数率单光子雪崩二极管

金湘亮 彭亚男 曾朵朵 杨红姣 蒲华燕 彭艳 罗均

[摘要]研究和分析了一种0.18 μm CMOS工艺单光子雪崩二极管(SPAD), 其结构能抑制过早的边缘击穿(PEB), 同时获得较大的光电流和低的暗计数率(DCR).该SPAD由p-well/deep n-well的感光结, deep n-well向上扩散形成的区域和边缘...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2019, 38(02):149

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