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   将选定结果: 

 ICP刻蚀气压对碲镉汞电学性能的影响

操神送 杜云辰 朱龙源 兰添翼 赵水平 罗 毅 乔 辉

[摘要]研究了利用ICP(Inductively Coupled Plasma)干法刻蚀工艺制备长波碲镉汞光导器件过程中刻蚀气体压强对材料电学参数的影响。发现增大气体压强会导致材料的电学性能衰退, 表现为材料的载流子浓度增加、迁移率降低以及电...

 PDF全文半导体光电 | 2017, 38(01):61

 化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究

乔辉 陈心恬 赵水平 兰添翼 王妮丽 朱龙源 李向阳

[摘要]针对化学机械抛光工艺对碲镉汞材料所产生的亚表面损伤层进行了研究。利用椭圆偏振光谱方法对经过腐蚀剥层的碲镉汞材料表面进行了光学表征, 认为化学机械抛光工艺造成的亚表面损伤层的深度大概为抛光工艺中所使用研磨...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(12):1204001

 感应耦合等离子体干法刻蚀中光刻胶掩模的异常性

乔辉 刘诗嘉 刘向阳 朱龙源 兰添翼 赵水平 王妮丽 李向阳

[摘要]利用光刻胶作刻蚀掩模对半导体样品进行感应耦合等离子体干法刻蚀时发现光刻胶掩模在刻蚀后表面出现凸起和孔洞等异常现象, 等离子体会透过部分孔洞对样品表面产生刻蚀损伤。利用探针式表面轮廓仪和激光共聚焦显微镜对...

 PDF全文半导体光电 | 2016, 37(01):59

 光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价

钱大憨 贾 嘉 陈 昱 王 韡 汤亦聃 朱龙源 李向阳

[摘要]制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器,对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究,在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好,器件电阻无大变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧...

 PDF全文红外技术 | 2011, 33(06):328-331

 红外焦平面可靠性封装技术

龚海梅 张亚妮 朱三根 王小坤 刘大福 董德平 游 达 李向阳 王 平 朱龙源 方家熊

[摘要]系统研究了红外焦平面组装、封装及其可靠性技术, 解决了组件结构模拟、子模块精确定位、扁平引线设计、 低漏率激光焊接、杜瓦内表面气体解吸分析及其解决途径等理论与技术问题, 进行了组件可靠性、器件的高能粒子 辐...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2009, 28(02):85-89

 碲镉汞阳极氧化层的化学结构分析

王平 朱龙源 李向阳 龚海梅

[摘要]碲镉汞(MCT)由于其特殊的禁带宽度,成为一种重要的红外探测器半导体材料.其表面复合中心会严重影响探测器性能,为了减少复合中心及保持电学和化学稳定性,表面钝化成为必不可少的工艺步骤.根据碲、镉、汞3种元素在碱性溶...

 PDF全文红外与激光工程 | 2006, 35(02):208-211

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