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 弱p型碲镉汞材料和陷阱模式光导探测器

张可锋 林杏潮 张莉萍 王仍 焦翠灵 陆液 王妮丽 李向阳

[摘要]窄禁带碲镉汞(HgCdTe)为电子和空穴混合导电的多载流子体系材料,特别是对于弱p型材料,由于电子和空穴的迁移率相差大约两个数量级,更容易受到少数载流子电子的干扰,因此单一磁场的霍尔测试无法区分迁移率较低性能...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2011, 48(06):060401

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