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 GaN基紫外探测器读出电路注入效率

马丁 刘福浩 李向阳 张燕

[摘要]读出电路的注入效率是决定紫外焦平面探测器性能的重要因素。基于GaN基p-i-n结构日盲紫外探测器以及CTIA结构读出电路的等效模型, 对探测器信号读出的电荷注入效率进行了分析, 得到了注入效率的表达式。分析了注入效率...

 PDF全文红外与激光工程 | 2017, 46(11):1120001

 化学机械抛光产生的碲镉汞材料亚表面损伤层的研究

乔辉 陈心恬 赵水平 兰添翼 王妮丽 朱龙源 李向阳

[摘要]针对化学机械抛光工艺对碲镉汞材料所产生的亚表面损伤层进行了研究。利用椭圆偏振光谱方法对经过腐蚀剥层的碲镉汞材料表面进行了光学表征, 认为化学机械抛光工艺造成的亚表面损伤层的深度大概为抛光工艺中所使用研磨...

 PDF全文红外与激光工程 | 2016, 45(12):1204001

 高斯光束场分布对相干探测混频效率的影响

李向阳 马宗峰 石德乐

[摘要]:在相干探测系统中,信号光与本振光在探测器上进行混频产生中频信号,实现将携带目标信息的信号光转置与放大,实现了近量子噪声限的探测方式。为了有效利用回波信号获得良好的探测性能,有必要对两束光的混频特性进...

 PDF全文红外与激光工程 | 2015, 44(02):0539

 GaN基紫外探测器的电子辐照效应

白云 邵秀梅 陈亮 张燕 李向阳 龚海梅

[摘要]用能量为0.8 MeV的电子对非故意掺杂的GaN材料进行了辐照,光致发光谱(PL谱)表明,辐照使PL谱的强度随电子注量依次降低,且主发光峰蓝移,在注量较高时,在3.36 eV附近,出现新的发光峰.制备了SiN/GaN的MIS结构,并对其进行电...

 PDF全文红外与激光工程 | 2008, 37(02):270-273

 光导型碲镉汞探测器的氢化研究

乔辉 周文洪 叶振华 李向阳 龚海梅

[摘要]为了提高碲镉汞红外探测器的性能,对ZnS钝化的碲镉汞光导型探测器进行了氢化处理研究,发现处理效果与氢等离子体密度和ZnS钝化层的厚度密切相关.对于ZnS层厚度固定的器件,通过改变氢等离子体密度发现低等离子体密度条件...

 PDF全文红外与激光工程 | 2008, 37(02):261-264

 AlGaN/GaN异质结紫外探测器

陈俊 许金通 李雪 陈亮 赵德刚 李向阳

[摘要]采用P-AlxGa1-xN/i-GaN/n-GaN异质结构成功制备了含铝组分分别为0.1和0.07的正照射可见盲紫外探测器,并分别测试了它们的伏安特性曲线和光电响应光谱.对于Al分为0.1的器件,在零偏压处出现了极低的暗电流密度,表明器件具...

 PDF全文红外与激光工程 | 2007, 36(06):917-919

 高性能背照式GaN/AlGaN p-i-n紫外探测器的制备与性能

陈亮 张燕 陈俊 郭丽伟 李向阳 龚海梅

[摘要]研究了GaN/AlGaN异质结背照式P-i-n结构可见盲紫外探测器的制备与性能.GaN/MGaN外延材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长,衬底为双面抛光的蓝宝石,缓冲层为AiN,n型层采用厚度为0.8 μm的Si掺杂Al0.3Ga0.7形成...

 PDF全文红外与激光工程 | 2007, 36(06):928-931

 紫外线列探测器的演示成像系统

黄翌敏 李向阳 龚海梅

[摘要]提出了一种以国产64×1可见盲紫外线列探测器为核心的紫外演示成像系统.设计了F=1.8,焦距90 mm的大相对孔径紫外物镜,该物镜采用纯折射结构,通过光学材料的合理组合以及光焦度的巧妙分配较好地解决了紫外光学材料种...

 PDF全文红外与激光工程 | 2007, 36(06):924-927

 碲镉汞霍耳测试副效应及其与组分的关系

杨晓阳 林杏潮 李向阳 龚海梅

[摘要]为了准确地表述碲镉汞(Hg1-xCdxTe)的电学性能,对碲镉汞(Hg1-xCdxTe)样品进行了霍耳效应测试,讨论了伴随霍耳电压所产生的几种副效应电压的特性及其消除方法,研究了第5种电压在不同组分x碲镉汞样品上的体现.在高阻样品...

 PDF全文红外与激光工程 | 2007, 36(04):457-460

 GaN基紫外探测器及其研究进展

李向阳 许金通 汤英文 李雪 张燕 龚海梅 赵德刚 杨辉

[摘要]宽禁带半导体材料的研究和突破,带动了各种器件的发展和应用.GaN基紫外探测器具有通过调整材料的配比可以调节器件响应的截止波长的优点,可以制备日盲型紫外探测器.对GaN基宽禁带紫外探测器材料体系的研究进展进行了回...

 PDF全文红外与激光工程 | 2006, 35(03):276-280

 碲镉汞阳极氧化层的化学结构分析

王平 朱龙源 李向阳 龚海梅

[摘要]碲镉汞(MCT)由于其特殊的禁带宽度,成为一种重要的红外探测器半导体材料.其表面复合中心会严重影响探测器性能,为了减少复合中心及保持电学和化学稳定性,表面钝化成为必不可少的工艺步骤.根据碲、镉、汞3种元素在碱性溶...

 PDF全文红外与激光工程 | 2006, 35(02):208-211

 快照模式紫外焦平面读出电路电容优化设计

贾寒昕 亢勇 李向阳

[摘要]快照模式焦平面读出电路的单元电路一般包括前置放大器、采样保持电路、多路开关传输器和缓冲跟随器.在有限的单元面积内完成较高性能的单元电路设计是快照模式焦平面读出电路的难点.考虑到积分电容、采样保持电容、运...

 PDF全文红外与激光工程 | 2006, 35(02):238-243

 GaN外延膜的红外椭偏光谱研究

王静 李向阳 刘骥 黄志明

[摘要]利用红外椭偏光谱法(IRSE)对生长在蓝宝石衬底上的非故意掺杂的GaN外延膜进行了研究.通过对椭偏光谱的理论计算,拟合了本征GaN中的声子振动参量和等离子振荡的频率及阻尼常量,并由此得到了各向异性的折射率和消光系数的...

 PDF全文红外与激光工程 | 2005, 34(05):544-547

 低真空退火对GaN MSM紫外探测器伏安特性的影响

亢勇 李雪 肖继荣 靳秀芳 李向阳 龚海梅 方家熊

[摘要]利用金属有机化学气相沉积生长的非故意掺杂GaN单晶制备了金属-半导体-金属交叉指型肖特基紫外探测器.用肖特基势垒的热电子发射理论研究了低真空下不同热退火条件对器件伏安特性的影响.Au-GaN肖特基势垒由退火前的0.3...

 PDF全文红外与激光工程 | 2005, 34(01):15-18

 GaN紫外探测器的Ti/Al接触的电学特性

李雪 亢勇 陈江峰 靳秀芳 李向阳 龚海梅 方家熊

[摘要]在非故意掺杂的和掺Si的GaN薄膜上蒸镀Ti(24 nm)/Al(nm)薄膜,氮气环境下400~800℃范围内进行退火.实验结果表明,在非故意掺杂的样品上,随退火温度的升高,肖特基势垒高度下降,理想因子升高,表面状况逐渐变差,600℃退火...

 PDF全文红外与激光工程 | 2004, 33(06):662-665

 激光辐照对长波HgCdTe光导探测器电学参数的影响

朱克学 张赟 李向阳 龚海梅 方家熊

[摘要]对长波HgCdTe光导探测器进行了低于其永久损伤阈值的变功率激光辐照,测量辐照前后器件的电阻-温度特性,用电阻-温度特性研究材料参数的方法对实验结果进行拟合,结果表明辐照后HgCdTe探测器件的组分变大,并由此计算得到...

 PDF全文红外与激光工程 | 2002, 31(01):55-59

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