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 中心距10 μm截止波长2.6 μm的延伸波长InGaAs焦平面探测器

何玮 李平 邵秀梅 曹高奇 于一榛 张亚光 邓双燕 杨波 李雪 李淘 龚海梅

[摘要]采用ICP(inductively coupled plasma etching)刻蚀与湿法腐蚀相结合的方式, 研制了像元中心距为10 μm、截止波长2.6 μm的p-i-n型10 × 10元延伸波长InGaAs探测器.不同温度下的电流—电压特性研究和激活能分析, ...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2018, 37(06):649

 n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

石 铭 邵秀梅 唐恒敬 李 淘 黄 星 曹高奇 王 瑞 李 平 李 雪 龚海梅

[摘要]采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4 μm的延伸波长8×1元线列InGaAs探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively co...

 PDF全文红外与毫米波学报 | 2016, 35(01):47

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