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 具有渐变量子垒的氮极性AlGaN基LED实现载流子调控和性能增强

陆义 闫建昌 李晓航 郭亚楠 吴卓辉 张亮 谷文 王军喜 李晋闽

[摘要]为了获得高效率的AlGaN基深紫外发光二极管, 提出了具有渐变量子垒的氮极性结构来调控载流子的传输.通过氮极性结构在p型电子阻挡层中形成的反向极化诱导势垒, 改善空穴注入和电子泄漏问题.另外研究了不同的渐变方向和...

 PDF全文光子学报 | 2019, 48(07):0723001

 载流子复合机制对InGaN多量子阱蓝光LED调制带宽的影响

杨杰 朱邵歆 闫建昌 李晋闽 王军喜

[摘要]通过设计InGaN多量子阱LED有源区的不同结构, 研究了载流子复合机制对LED调制速度的影响。结果显示, 由于窄量子阱LED的载流子空间波函数重叠几率更高, 且电子泄露效应更显著, 所以复合速率更快, 调制带宽更高。In组分...

 PDF全文发光学报 | 2018, 39(02):202

 六方氮化硼成核层减小MOCVD外延生长氮化铝薄膜的应力及裂纹

吴清清 闫建昌 张亮 陈翔 魏同波 李杨 刘志强 魏学成 王军喜 李晋闽

[摘要]利用单层六方BN材料(hexagonal BN:hBN)作为成核层, 用金属有机物化学气相沉积法生长AlN薄膜, 得到应力小裂纹少的外延材料。实验中, 对hBN材料进行人为表面化学修饰, 以增加hBN的缺陷和后续AlN生长的成核中心。对比分...

 PDF全文光子学报 | 2017, 46(11):1116001

 具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

赵勇兵 张韵 程哲 黄宇亮 张连 刘志强 伊晓燕 王国宏 李晋闽

[摘要]介绍了一种具有高阈值电压和大栅压摆幅的常关型槽栅AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管。采用原子层淀积(ALD)方法实现Al2O3栅介质的沉积。槽栅常关型AlGaN/GaN MOS-HEMT的栅长(Lg)为2 μm, 栅宽(Wg)为0.9 ...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(06):720

 具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

赵勇兵 张 韵 程 哲 黄宇亮 张 连 刘志强 伊晓燕 王国宏 李晋闽

[摘要]采用原子层淀积(ALD)方法,制备了Al2O3 为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT)。在栅压为-20 V时,MOS-HEMT的栅漏电比Schottky-gate HEMT的栅漏电低4个数量级以上。在栅压为+2 V时,S...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(05):578

 不同封装材料的中功率GaN基LED器件老化分析

符佳佳 曹海城 赵丽霞 王军喜 李晋闽

[摘要]针对中功率蓝光及相应的白光LED器件进行加速老化实验,并具体分析了器件中硅胶和绿红混合荧光粉等封装材料对老化行为的影响和失效机理。在测试器件的光电老化行为之后, 利用反射光谱和飞行时间二次离子质谱对失效器件...

 PDF全文发光学报 | 2016, 37(10):1230

 百瓦皮秒光纤放大器

于海娟 孙伟 张玲 李晋闽 林学春

[摘要]

 PDF全文中国激光 | 2014, 41(05):0502004-6

 7 kW级光纤耦合输出全固态激光器

王奕博 王宝华 张志研 叶家宝 杨海波 刘燕楠 侯玮 李晋闽 林学春

[摘要]

 PDF全文中国激光 | 2013, 40(01):0108003-8

 基于单壁碳纳米管的高功率被动锁模光纤放大器

张玲 王勇刚 于海娟 孙伟 杨盈莹 韩泽华 曲研 侯玮 李晋闽 林学春

[摘要]

 PDF全文中国激光 | 2012, 39(04):0409002-4

 86 W准基模激光二极管侧面抽运Nd:YAG激光器

刘永刚 王宝华 侯玮 林学春 李晋闽

[摘要]报道了一种86 W准基模的激光二极管侧面抽运Nd:YAG激光器。所用激光晶体直径为3 mm,长度为65 mm,抽运方式为三维侧泵。通过凸面镜增大模体积,采用双棒串接插入90\O旋光片的方法补偿热致双折射,通过计算和实验相结合...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2011, 48(07):071403

 7.5 W Nd:GdVO4环形腔单频激光器

赵伟芳 侯玮 郭林 林学春 李晋闽

[摘要]采用光纤耦合输出激光二极管(FCLD)单端端面抽运Nd:GdVO4晶体的方式,获得高功率单频激光的输出。在实验中,采用四镜折叠环形腔,考虑了晶体的热透镜效应后,优化了环行腔腔型。通过在腔内插入法拉第旋光器和半波片...

 PDF全文光学学报 | 2011, 31(05):0514003

 Nd:YAG环形腔单频激光器

赵伟芳 侯玮 李港 林学春 李晋闽

[摘要]采用光纤耦合输出激光二极管单端端面抽运Nd:YAG晶体, 考虑到晶体的热透镜效应, 优化设计了四镜折叠环形腔, 使抽运光斑的大小和振荡光斑的大小符合模式匹配的要求; 在腔内插入偏振片、法拉第旋光器和半波片从而实现激...

 PDF全文中国激光 | 2010, 37(11):2810-2812

 高功率全固态调Q激光器进展及应用

侯玮 刘燕楠 李达 林学春 李晋闽

[摘要]

 PDF全文光电产品与资讯 | 2010, 1(07):21-22

 1.35 W,3.85-3.95 μm连续调谐周期极化掺镁铌酸锂光参量振荡器

熊波 马建立 林学春 李晋闽

[摘要]周期极化掺镁铌酸锂光参量振荡器(PPMgLN OPOs)是输出高功率、可连续调谐中红外(MIR)激光的理想光源,在激光光谱仪、大气探测、红外信息对抗等应用方面具有很大优势。理论上分析了PPMgLN光参量振荡器的温度调谐特性,计...

 PDF全文中国激光 | 2009, 36(s2):7-10

 高平均功率全固态激光器发展现状、趋势及应用

李晋闽

[摘要]综述了目前获得高平均功率全固态激光(DPL)输出的圆棒、板条、薄片和光纤激光器,以及热容激光和相干合成等主要方式的特点、发展历史及国内外最新进展,分析评述了高平均功率全固态激光器的发展趋势,并展望了其在工业...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2008, 45(07):16-29

 高质量氮化镓材料的光致发光研究

王军喜 孙殿照 王晓亮 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英 侯洵

[摘要]利用氨气源分子束外延(GSMBE)技术,在改型Ⅳ型分子束外延设备上生长高质量GaN单晶外延材料,并对样品进行了光致发光测量。分析室温和低温光致发光谱,系统地研究GaN的发光峰及其起源,并对常见的黄色发光带现象及其微结构...

 PDF全文应用光学 | 2001, 22(02):35-38

 场助InP/InGaAsP/InP半导体光电阴极异质结能带的计算

李晋闽 郭里辉 王存让 张工力 侯洵

[摘要]采用双曲型的渐变函数,同时考虑加偏压时引起的阴极表面空间电荷区的变化,对场助InP/TnGaAsP/InP半导体光电阴极异质结的能带结构进行了详细的分析和计算,得到了在不同材料参数时,异质结能带结构的分布曲线.计算结果指...

 PDF全文光学学报 | 1992, 12(09):830-834

 场助InGaAsP/InP异质结半导体光电阴极的研究

李晋闽 郭里辉 侯洵 王存让 张工力

[摘要]本文通过对InGaAsP/InP场助异质结半导体光电阴极的材料生长、场助肖特基结的制备及阴极激活等工艺的系统研究,研制出具有较高光谱响应的半导体光电阴极,生长出优于文献报道的晶格失配率标准的材料,得到相当80年代国际...

 PDF全文光学学报 | 1992, 12(06):528-532

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