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 808 nm连续输出13.6 W单芯片大功率激光器

李沛旭 殷方军 张成山 开北超 孙素娟 江建民 夏伟 徐现刚

[摘要]通过对大功率激光器腔面光学灾变损伤的研究, 分析了激光器腔面镀膜的损伤机理。为了提高激光器的输出功率, 采用TiO2替换Si作为高折射率材料, 建立非标准膜系降低电场强度, 同时优化膜层材料的粗糙度, 并采用离子源进...

 PDF全文中国激光 | 2018, 45(01):0101013

 半导体激光器结温的测试及分析

杨扬 于果蕾 李沛旭 夏伟 徐现刚

[摘要]结温/热阻是反映激光器器件散热能力的综合参数,与封装焊料层的烧结质量关系密切。本文分别通过正向电压法和波长漂移法,测试计算得到激光器的工作结温,利用扫描声学显微镜分析了激光器焊料层中空洞分布;验证了结温...

 PDF全文激光与光电子学进展 | 2016, 53(01):011404

 76%光电转换效率梯度渐变折射率结构940 nm半导体激光器

蒋锴 李沛旭 沈燕 张新 汤庆敏 任忠祥 胡小波 徐现刚

[摘要]为改善宽面940 nm半导体激光二极管(LD)的输出功率及光电转换效率(WPE),设计并制作了一种包含梯度渐变折射率(GRIN)结构的新型量子阱激光器。通过二维自洽软件模拟计算了新结构激光器与传统分别限制结构(SCH)激光器的...

 PDF全文中国激光 | 2014, 41(04):0402003

 非对称结构大功率940 nm量子阱激光器

蒋锴 李沛旭 张新 汤庆敏 夏伟 徐现刚

[摘要]为改善940 nm大功率InGaAs/GaAs半导体激光器输出特性,通过模拟计算了非对称波导层及限制层结构的光场分布,并参照模拟制作了非对称结构半导体激光器器件。采用低压金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)生长技术,获得了低...

 PDF全文强激光与粒子束 | 2014, 26(05):051022

 62%电光转换效率的高功率808 nm半导体激光器

李沛旭 蒋锴 张新 汤庆敏 夏伟 李树强 任忠祥 徐现刚

[摘要]针对半导体激光器的能量损耗情况,设计优化了半导体激光器的结构,改进了材料的金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长条件。采用低压MOCVD外延技术生长了GaAsP/GaInP/AlGaInP应变量子阱大光腔结构,进而设计制作了808 n...

 PDF全文光学学报 | 2011, 31(s1):s100308

 非对称异质结量子阱激光器中上波导层厚度对光场分布的影响

李沛旭 蒋锴 李树强 夏伟 张新 汤庆敏 任忠祥 徐现刚

[摘要]本文对808nm非对称宽波导分别限制量子阱激光器进行了理论分析和设计。选取了不同厚度的上波导层厚度,计算分析了上波导层厚度与光场分布、垂直发散角和内吸收系数之间的关系。根据计算和实验结果,上下波导层厚度分别...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2010, 8(05):493

 MOCVD生长AlGaInP/GaInP大功率非对称限制结构量子阱激光器

李沛旭 王翎 李树强 夏伟 张新 汤庆敏 任忠祥 徐现刚

[摘要]为了改进常规宽波导808nm半导体激光器的性能,设计了具有非对称限制结构的量子阱激光器。我们采用金属有机气相化学沉积(MOCVD)的方法进行了外延生长,并制作了100μm条宽1000μm腔长的激光器。在连续工作电流条件下...

 PDF全文Chinese Optics Letters | 2009, 7(06):489

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